氮化镓干法刻蚀研究进展 new development in dry etching of gan.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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氮化镓干法刻蚀研究进展 new development in dry etching of gan

瞥意咿T喇咖咖伊一氮化镓干法刻蚀研究进展王冲，郝跃，冯倩，郭亮良 (西安电子科技大学微电子研究所，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安710071) 根粗糙度小于3nm。对引起干法刻蚀损伤的因素进行了讨论，并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法。关键词：氮化镓；干法刻蚀；等离子体；刻蚀损伤中图分类号：TN405．98文献标识码：A New in ofGaN DeVelopmentDryEtching WANG Yue，FENG Chong，HA0 Qian，GU0Liang—liang Instnule Lnb EdtlcntionwideBnnd tThe 0fMicroelectronics．XidinnUntversity．KeyofMinisfryof for Gnp SemicondtlctorMateriqtsand 1 Devices．X{tnnlQ01、，Chind、 Abstract：+Ihecharacteristlcsof andsoOnwerecOntrasted．’I。heofGaN RIE，ECR，ICP progress GaNand ICPan wasreViewed．Takethe of AlGaN as dryetching etching using example，highetching ratesandideal and wereobtained conditions．At selectiVitymorphology byoptimizingprocessing the rateswere ofthe condition，the optimaletchingprocessing etching 340nm／min，the豇adient RMS lessthan3nm．The sidewallwas than the were reasonsof bigger80。，androughness plasma- induced were somemeansof wereintroduced． damagediscussed，and reducingetcbingdamage KeywOrds：GaN；dryetching；plasma；etchingdamage 的湿法刻蚀比较，于法刻蚀技术具有各向异性、对 1 引言不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易氮化镓(GaN)材料具有良好的电学特性…，于实现自动连续生产等优点，所以反应离子刻蚀如宽的禁带宽度(3．4eV)、高击穿电场(3×10s v／cm)、较高的热导率(1．5W／cm·K)