多晶发射极结构三极管抗总剂量能力研究.pdfVIP

第12卷第7期 电　子　与　封　装 第 卷，第 期 电　子　与　封　装 总 第111期 12 7 Vol.12 ，No.7 ELECTRONICS PACKAGING 2012年7月 多晶发射极结构三极管抗总剂量能力研究 郑若成，顾爱军 （无锡中微晶园电子有限公司，江苏无锡 214035 ） 摘　要：文章通过分析总剂量辐照机理和三极管结构总剂量辐照的瓶颈部位，比较普通和多晶发射 极VNPN 晶体管结构上的区别，指出多晶发射极结构具有更强的总剂量辐照能力。多晶发射极结构总 剂量辐照能力增强是由于该结构EB之间存在多晶+ 薄氧化层的结构，该结构中多晶屏蔽了顶部厚氧 化层辐照效应的影响，而普通结构EB之间则是厚氧化层结构，总剂量辐照能力弱。在对多晶发射极 结构总剂量辐照关键部位的分析过程中，对多晶发射极三极管局部结构进行了进一步优化设计，最 后给出了多晶发射极结构三极管的辐照实验结果，并对实验结果进行了分析。 关键词：总剂量辐照；三极管；多晶发射极结构；辐照实验 中图分类号：TN305 　文献标识码：A　　文章编号：1681-1070 （2012 ）07-0038-03 The Study of Polysilicon Emitter Bipolar Transistor to Radiation of Total Dose ZHENG Ruo-cheng, GU Ai-jun （Wuxi Zhongwei Jingyuan Electronics Co., Ltd ., Wuxi 214035, China） Abstract: This paper analyses the mechanism of total dose radiation and the radiation bottleneck for bipolar transistor, by comparing the difference of the polysilicon emitter and ordinary bipolar structure, it is pointed out that the polysilicon emitter bipolar has stronger immunity to total dose radiation than ordinary bipolar. For Polysilicon emitter transistor, polysilicon/thin oxide stack structure instead of thick oxide structure between EB electrode enhance immunity to total dose radiation. The polysilicon emitter bipolar structure is optimized during the analysis of total dose radiation for polysilicon emitter bipolar. Finally, the polysilicon emitter bipolar total dose radiation result is give and analyzed. Key words: total dose radiation; bipolar transistor; polysilicon emitter structure; radiation experiment