4英寸VGF+GaAs单晶生长的数值模拟与实验研究.pdfVIP

第33卷第2期 稀 有 金 VoL33No．2 CHINESEJOURNALOFRAREMETLAS 2009 ApL 4英寸VGFGaAs单晶生长的数值模拟与实验研究 丁国强’，苏小平，屠海令，张峰娥，涂 凡 (北京有色金属研究总院，北京国晶辉红外光学科技公司，北京100088) 摘要：利用数值模拟和实验相结合的方法，研究了4英寸VGFGaAs单晶的生长。首先基于炉体结构和所采用材料，建立一个和真实单晶生 长系统接近的炉体模型。根据此模型，采用晶体生长模拟软件CrysMas计算得到整个炉体内的温度分布、晶体及熔体的温度梯度、界面位置 等。通过对单晶生长不同时间点的模拟，制定了一套单晶的生长工艺。然后，严格遵循此工艺进行单晶生长实验。通过对实验和模拟结果的 对比分析，建立了实验和数值模拟之间的联系，为进一步利用数值模拟指导晶体的实际生长提供了依据。最后，利用数值模拟研究了单晶生 长中“边界效应”，探讨了晶体生长过程中产生多晶的原因。 关键词：砷化镓；单晶；数值模拟；垂直梯度凝固 中图分类号tTN304．2文献标识码：A