4英寸VGF+GaAs单晶生长的数值模拟与实验研究.pdf

第33卷第2期 稀 有 金 VoL33No．2 CHINESEJOURNALOFRAREMETLAS 2009 ApL 4英寸VGFGaAs单晶生长的数值模拟与实验研究 丁国强’，苏小平，屠海令，张峰娥，涂 凡 (北京有色金属研究总院，北京国晶辉红外光学科技公司，北京100088) 摘要：利用数值模拟和实验相结合的方法，研究了4英寸VGFGaAs单晶的生长。首先基于炉体结构和所采用材料，建立一个和真实单晶生 长系统接近的炉体模型。根据此模型，采用晶体生长模拟软件CrysMas计算得到整个炉体内的温度分布、晶体及熔体的温度梯度、界面位置 等。通过对单晶生长不同时间点的模拟，制定了一套单晶的生长工艺。然后，严格遵循此工艺进行单晶生长实验。通过对实验和模拟结果的 对比分析，建立了实验和数值模拟之间的联系，为进一步利用数值模拟指导晶体的实际生长提供了依据。最后，利用数值模拟研究了单晶生 长中“边界效应”，探讨了晶体生长过程中产生多晶的原因。 关键词：砷化镓；单晶；数值模拟；垂直梯度凝固 中图分类号tTN304．2文献标识码：A 文章编号：0258—7076(2009)02—021l一06 作为制作高亮度LED和激光二极管的基片材 1 数值模拟 料，要求GaAs单晶应具有较低的位错密度(EPD 500 GrowthLa． cm屯)，掺杂元素分布均匀，为考虑生产成 采用德国晶体生长实验室(Crystal 本，晶片尺寸最好在4英寸以上。VGF工艺是目前 能够生长此类单晶的较好方法。根据Jordan所建 立的准静态热传输／热应力模型【lJ，当采用VGF技 础上，用来计算复杂热场系统中的温度分布，并以 术生长单晶时，如果温度梯度在2～5K·cm。之 此为基础研究晶体中的温度梯度、热流、应力大 间，晶体在生长过程中引入的热应力就较小，从而 小，熔体中的温度梯度、热流及熔体对流。在炉体 使位错密度大大降低。数值模拟就是利用计算机 设计中能够用来分析热场中各部件的几何形状、 仿真将晶体生长的过程进行重构或再现心]。数值 结构以及材料对整个热场的影响【9l训；此外，在晶 模拟技术可以方便地在随意改变热场结构和工艺 体生长研究中，可以通过计算晶体生长中位错及 参数的情况下研究不同晶体的生长过程，由此成 本征缺陷的分布，优化晶体生长工艺¨l121。 为研究单晶生长方面的重要手段”J。Amon和Mull．数值模拟可以分为以下几个步骤： er等利用数值模拟技术研究了2”，3VGF—GaAs，2”(1)输入整个炉体结构的CAD图形。图形应 InP等单晶的生长和工艺优化H娟J，取得了较好的成包含炉体结构的重要细节，反应炉体内各部件间 果。本文采用数值模拟和生长实验相结合的手段， 的位置及配合，尽可能的接近炉体的真实结构。如 研究在国产VGF单晶生长系统中生长4英寸GaPs 图1(a)所示(由于热场系统为轴对称，只取右侧； 单晶。首先将热场系统简化为CAD图形，将其代入 为方便解释只取热场的核心位置)。 单晶生长模拟软件CrysMas中，根据计算结果制定 (2)定义各个部分的材料，见表1。材料的物 单晶生长工艺。然后严格按照所制定工艺进行实验。 理参数决定了计算的结果，准确的材料参数是获 最后通过将实验结果与模拟结果的比较，建立了模 得合理模拟结果的前提条件，图1(b)。 拟温度和实测温度之间的联系，使数值模拟很好的 (3)定义边界条件、加热器、控制点温度，进 指导VGFGaAs单晶生长实验。 行网格化处理，开始计算。首先计算整个热场的温 收稿日期：2008—10—20；修订日期：2008—12—20