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理想金属-半导体接触 通过pn 结一章的学习，我们知道，pn 结的特性与半导体-半导体冶金界面及其附近的特 性，特别是空间电荷区的特性密切相关。实际上，任何半导体器件都与半导体-半导体、半 导体-其他材料， 或者更一般地与电子材料- 电子材料界面的性质密切相关。电子在界面及 其附近的输运性质，决定了电子器件的外特性。因此可以说，界面就是器件，或者反过来说， 器件就是界面。在本章，我们要研究一类重要的界面结构：金属-半导体接触。 普通金属都是良导体。半导体器件和集成电路芯片与外电路的连接基本上都是通过金属 来实现的，集成电路内部各电子元件也通过金属实现连接而实现预定的电路功能。因此，金 属-半导体接触的特性对半导体器件和集成电路有重要的意义。 金属和半导体的一个重要参数是功函数。功函数定义为真空中静止电子的能量与金属费 米能级的能量之差，即把一个电子从金属费米能级移动到真空中所需的能量。同样，将真空 中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。将半导体导带底电 子移动到真空中所需的能量称为电子亲和势。金属和半导体的能带结构如图1 所示。 d e r e t s i g 图1 金属、半导体能带图 首先，我们研究一下理想条件下的金属-半导体接触的能带图。所谓理想情况，是指： e （1）金属半导体直接接触，没有任何中间介质层；（2 ）没有界面态。根据金属、半导体功 函数的相对大小，半导体材料的导电类型，金属-半导体接触共有四种类型。 R n U 图 2 金属-n 型半导体理想接触能带图 （1）n 型衬底，金属功函数大于半导体功函数。在理想接触条件下，半导体导带电子 能量大于金属费米能级电子能量，半导体表面处的电子将流向金属，在半导体表面形成电子 欠缺的区域，半导体表面产生了由电离施主形成的正电荷，这些正电荷的电场，阻止了电子 向金属的无限制流动，同时阻止了衬底电子流向表面。这一过程最终会达到一个动态平衡点， 这时，半导体表面薄层内几乎没有电子，这就是在半导体表面形成的耗尽层。既然，半导体 表面几乎没有电子，根据费米分布函数，载流子电子浓度越低，导带离费米能级的距离越远， 半导体表面能带向上弯曲，利用平衡态费米能级为常数的条件，得到如图2 所示的能带图。 图中，f 称为肖特基势垒高度，V 是半导体表面的接触电势差。根据图1 和图2 ，可 B 0 bi 以得到 f =f -c ( 1) B 0 m V =f -f (2) bi m s 设半导体衬底的杂质浓度为N ，根据(2.39)式，耗尽层宽度为 D 2e V 1/ 2 W = x = ( s bi )