复合结构半导体电极的最大光电势和光腐蚀研究 largest photovoltage and photoetch of tandem semiconductive electrode.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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复合结构半导体电极的最大光电势和光腐蚀研究 largest photovoltage and photoetch of tandem semiconductive electrode.pdf

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复合结构半导体电极的最大光电势和光腐蚀研究 largest photovoltage and photoetch of tandem semiconductive electrode

半导体光电年月第卷第期韩志慧等# 复合结构半导体电极的最大光电势和光腐蚀研究 Z006 Z Z7 1 材料、结构及工艺复合结构半导体电极的最大光电势和光腐蚀研究韩志慧!沈国鹏!刘国际郑州大学化工学院#河南郑州 450002$ 摘要! 借助于交流阻抗技术和电化学方法!研究了不同复合结构半导体电极在理论上的最大光电势!为更好地提高光电转换效率提供依据尝试在高氯酸锂乙腈非水体系中添加氧化还- - 原电对!探索抑制光腐蚀的有效途径关键词! 复合结构半导体光腐蚀交流阻抗平带电势中图分类号! 文献标识码! 文章编号! T@150 A 1001-5868 Z006 01-0055-04 Lar est Photovolta e and Photoetch of Tandem SemiconductiveElectrodeg g ~AN Zhi-hui S~EN Guo- en LIU Guo- i p g Colle e of Chemical En ineerin Zhenzhou universit Zhenzhou 450002 CHNg g g y Abstract The flat- otential of different tandem semiconductive anode can be ac uired b p C y means of alternatin im edance techni ue and electrochemical method. So the lar est theoretical g p C g hotovolta e Was achieved to offer rimar data for o timizin the re arative arameter. The p g p y p g p p p hotocorrosion can be inhibited effectivel When dissolvin different oxidation-reduction p