第一章FPGA系统设计基础1.1与1.2小节.pptVIP

VHDL语言与FPGA编程;教师授课水平;授课答疑 课后答疑（课间或周二晚327） 集中答疑（班长把问题集中反馈） 课堂纪律 旷课（实验）-5 考试原则 59就是不及格;1.点名 2.作业与课前讨论 3.上次课回顾与讨论学习 4.这次课内容与目标 5.课程讲解 6.小结;绪论 人 生;本门课程的主要内容;第1章FPGA系统设计基础;本次课的教学目的;知识要点;1.1可编程逻辑器件基础 ;PROM FPLA PAL GAL;1.1.1 概述;GAL：是一种电可擦写、可重复编程、可设置加密位的PLD器件。GAL器件有一个可编程的输出逻辑宏单元OLMC，通过对OLMC配置可以得到多种形式的输出和反馈。比较有代表性的 GAL芯片是 GAL16V8、 GAL20V8和 GAL22V10，这几种GAL几乎能够仿真所有类型的PAL器件，并具有100％的兼容性。;EPLD：基本逻辑单位是宏单元，它由可编程的与—或阵列、可编程寄存器和可编程 I／O 3部分组成。由于EPLD特有的宏单元结构、大量增加的输出宏单元数和大的与阵列，使其在一块芯片内能够更灵活性的实现较多的逻辑功能 ;CPLD：是EPLD的改进型器件，一般情况下， CPLD器件至少包含3种结构：可编程逻辑宏单元、可编程I／O单元和可编程内部连线。部分CPLD器件还集成了RAM、FIFO或双口RAM等存储器，以适应DSP应用设计的要求。;FPGA：在结构上由逻辑功能块排列为阵列，并由可编程的内部连线连接这些功能块，来实现一定的逻辑功能。FPGA的功能由逻辑结构的配置数据决定，在工作时，这些配置数据存放在片内的SRAM或者熔丝图上。使用SRAM的FPGA器件，在工作前需要从芯片外部加载配置数据，这些配置数据可以存放在片外的EPROM或其他存储体上，人们可以控制加载过程，在现场修改器件的逻辑功能。;1.1.2 可编程逻辑器件的编程器件工作原理;1.可编程只读存储器（PROM）;图1.1.1 PROM 结构示意图;PROM的存储单元一旦由“0”改写为“1”或由“1”改写为“0”，就变成固定结构，因此只能进行一次编程。所以可编程只读存储器（PROM）也称为一次可编程只读存储器。 在产品的开发设计过程中，设计人员可以通过编程器将所需内容（程序和数据）自行写入PROM中得到所要求的ROM。;2. 可擦除的可编程只读存储器（EPROM）;EPROM采用MOS型电路结构，??存储单元通常由叠栅型MOS管组成。叠栅型MOS管通常采用增强型场效应管结构。叠栅注入 MOS管（Stacked-gate Injection Metal-Oxide-Semiconductor，简称SIMOS管）的结构原理图和符号如图1.1.2所示。 ;图1.1.2 SIMOS管 的结构原理图和符号;以叠栅NMOS管为例，图中叠栅型MOS管有两个重叠的栅极：一个在上面，称为控制栅，其作用与普通MOS管的栅极相似；另一个埋在二氧化硅绝缘层内，称为浮置栅。如果浮置栅上没有电荷，叠栅MOS管的工作原理就与普通MOS管相似。当控制栅上的电压大于它的开启电压时，即在栅极加上正常的高电平信号时，漏源之间可以有电流产生，SIMOS管导通。如果浮置栅上有电子，这些电子产生负电场。这时要使管子导通，控制栅必须加较大正电压，以克服负电场的影响。换句话说，如果浮置栅上有电子，管子的开启电压就会增加，在栅极加上正常的高电平信号时SIMOS管将不会导通。;浮置栅上的电荷是靠漏源及栅源之间同时加一较大电压（例如 ＋20～＋25V编程电压，正常工作电压只有5V）而产生的。当源极接地时，漏极的大电压使漏源之间形成沟道。沟道内的电子在漏源间强电场的作用下获得足够的能量。同时借助于控制栅正电压的吸引，一部分电子穿过二氧化硅薄层进入浮置栅。当高压电源（例如＋20～＋25V编程电压）去掉后，由于浮置栅被绝缘层包围，它所获得的电子很难泄漏，因此可以长期保存。浮置栅上注入了电荷的SIMOS管相当于写入了数据“1”，未注入电荷的相当于存入了数据“0”。;当浮置栅带上电子后，如果要想擦去浮置栅上的电子，可采用强紫外线或x射线对叠栅进行照射，当浮置栅上的电子获得足够的能量后，就会穿过绝缘层返回到衬底中去 ;3. 电信号擦除的可编程ROM（EEPROM）;EEPROM的电路结构与UVEPROM的主要区别是构成存储单元的MOS管的结构不同。EEPROM的存储单元采用浮置栅型场效应管（Floating gate Tunnel Oxide，简称 Flotox管），其结构如图1.1.3所示，Flotox管也属于N沟道增强型的MOS管。这种场效应管有两个浮置栅，漏极上方有一个隧道二极管。在第二栅极与漏极之间电压Vg提供的电场作用下，漏极电荷通过隧道二极管流向第一浮栅，使管子导通，起到编