改善功率mosfet器件uis测试能力的方法 a study on methods to improve the uis capacity for power mosfet testing.pdfVIP

第34卷第8期 电字工蠢师 V01．34No．8 2008年8月 ELECTRONICENGINEER Aug．2008 顾晓健 (万代半导体(上海)有限公司，上海201203) 摘要：介绍了功率MOSFET器件的UIS(非钳位感应开关)测试原理及重要性，通过实际案例， 法的组合，使功率MOsFET器件的uIs能力和测试合格率有了很大的提升。 关键词：POWERMOSFET；UIS；导通电阻 中图分类号：TM930．12 件，正向电压超过开启电压)源区的电子通过衬底的 O引言 表面(沟道)流向漏极区，所形成的电流为漏极到源极 的电流。如图l所示。 MOsFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)以其 高开关速度、低开关损耗、低驱动损耗等特点而在各种 功率变换特别是在高频功率变换中扮演着主要角色。 功率MOs(金属氧化物一半导体)器件的应用非常广 泛，例如手机、电脑、液晶电视、充电器、玩具、电动自行 车、电话、电源、各类仪器仪表等。功率M0s器件随着 半导体技术的发展，其MOs单元的尺寸也越来越小， 在相同面积中集成的单元越来越多，器件的电流密度 也越来越大，在开发和实际应用中经常遇到功率MOS 图1 MosFET器件的UIs测试等效电路 器件由于无法承受太大的电流而被击穿，特别是在开 如果这个负载为电感型的负载，电流的增加为线 关的瞬间被击穿的概率最大。 性的，电流的大小取决于所加电压的大小。此时关闭 一般来说，所有的半导体器件都存在一个最大的 器件，栅极上的电压将变成0或者是负电压，这样原来 反向电压，在功率MOsFET器件中用BVDss表示。当 产生的沟道将消失。在沟道消失时，电流也将开始减 器件工作在这个极限电压时，会导致在反转的PN结 少。电感负载将起到增加漏极电压的作用，以保持漏 上出现大电场。这个电场会产生大量的电子一空穴对 极上的电流。当漏极电压增加时，漏极电流将被分成 并会倍数地增长导致电流的增加。这个反向电流会通 2部分，沟道电流和漏极一衬底二极管上的转移电流。 过MOS器件并导致功率的浪费，引起温度的上升甚至 这个转移电流是和d‰／m(％。随时间上升的比率)是 于永久破坏器件。为了避免MOSFET在实际工作状 成比例的。d‰／山与栅极的放电速度和漏极一衬底 态中达到这个电压，引人uIS来测试器件，避免器件在 耗尽区的充电速度相关。当漏极电压增加且无法被夹 实际工作中失效。 断时，器件将进入雪崩区，此时的漏极一衬底二极管将 本文着重阐述了提升和测试UIs能力的几种方 产生电流载流子。在这种情况下，所有的漏极电流 法。提升DIS的能力分为改善contact工艺、减小R¨ (雪崩电流)将通过漏极一衬底二极管并且受控于电 改变设计3种，分