高k栅介质mosfets的二维阈值电压模型 2d threshold-voltage model for high-k gate-dielectric mosfets.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高k栅介质mosfets的二维阈值电压模型 2d threshold-voltage model for high-k gate-dielectric mosfets.pdf

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高k栅介质mosfets的二维阈值电压模型 2d threshold-voltage model for high-k gate-dielectric mosfets

第27卷第10期半导体学报 V01．27No．10 2006年10月 CHINESEJOURNAL0FSEMICONDUCTORS 0ct．，2006 2D for Model MOSFETs+ Threshold—VoltageHigh一艮Gate-Dielectric Ji PT2，Chen Li Fen91，XuJingpin91…，Lai Weibin91，andYanpin91 w“加，I 430074，cm凡口) (1眈彤rf，，lenf0，EfecfroⅢc＆妇，lcenc^nDfDgy，H“口z^o他【，Ⅲw删fyo厂＆fen俚nndnc^几ofDgy， (2D9P口rf，，Ie，lfo，Efecfric口fEzecf，口njc-Ehgf，lee—ng，unfve，百ffyD，舶，喀Kong，．HongKDng，(^ind) AbstI．act：New conditionsanda2D distfibutionthechannelofa boundary potential along high．足gate．dielectric bOththe dielectricmaterialandthe onthisdis· MoSFET，includinggate region depletionregion，aregiVen．Based tributiOn，a2D modelwiththe andshort．channeleffectsis fora threshold．vOltage fringing．field developedhigh．七 MoSFET．ThemOdel wellwith dataanda 2DmOdel，andisevenmore gate．dielectric agrees experimentalquasi accuratethanthe 2Dmodelat drain thethresholdbehaviorofthe quasi higher voltages．Factorsaffecting high．七 MoSFETarediscussedindetail． gate．dielectric threshold short—channeleffect Key dielectric；MOSFET； field； words：high·七gate V0ltage；fringing PACC：7340Q；1240Q CLCnumber：TN386D0cument Article code：A ID：0253—4177(2006)10．1725．07 mustbe Liu dielectricMOSFETs develoDed． 1