高隔离度宽频带mems双膜桥开关 high isolation mems double membranes switches for broadband application.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高隔离度宽频带mems双膜桥开关 high isolation mems double membranes switches for broadband application.pdf

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高隔离度宽频带mems双膜桥开关 high isolation mems double membranes switches for broadband application

T 支撑技术 Supporting Technology S 高隔离度宽频带MEMS双膜桥开关蔡洁1 1 1,2 廖小平朱健 1.东南大学MEMS教育部重点实验室南京 2100962.南京电子器件研究所南京 210016 摘要利用一种新型双边加直流驱动电极的电容耦合式MEMS并联膜开关与直接接触式并联膜开关进行级联形成MEMS双膜开关通过对其尺寸和结构的优化降低开关阈值电压 Coventor软件模拟表明开关的阈值电压小于20V通过对其匹配设计改善开关的高频性能 HFSS软件模拟的结果表明在 DC20GHz整个频带内开关的插入损耗优于-0.1dB反射损耗低于-30dB隔离度低于-20dB在谐振点处隔离度能达到-40dB 关键词 MEMS双膜桥阈值电压插入损耗反射损耗隔离度中图分类号 TN43 文献标识码 A 文章编号 1003-353X(2006)04-0290-05 for Broadband Application 1 1 1 2 CAI JieLIAO Xiao-pingZHU Jian Abstract: - - 30dB, the isolation is- -40dB. Key words:MEMSdouble membranespull-in voltageinsertion lossreturn loss isolation 来制作移相器开关式滤波器和开关阵列等并应 1 引言用于雷达和卫星通信等系统中随着射频微机械技术的发展 MEMS开关越来常规的MEMS电容耦合式开关一般在10GHz以越受到广泛的关注 MEMS开关按接触类型可以分上的某个频率点有个谐振点隔离度达到最高而 [1] [2] 为金属直接接触式开关和电容耦合式开关按电阻接触式开关在DC到10GHz的频带内具有高隔离 [3] [4] 本文将一种新型的双边加直流驱动电极的电路结构可以分为串联式开关和并联式开关度与传统的FET或PIN二极管开关相比 MEMS开关 MEMS并联膜桥开关和电阻直接接触式并联膜开关的优点为直流功耗小插入损耗低隔离度高级联综合了电容耦合式开关在谐振点处的高隔离互调失真小工作频带宽并具有低成本集成能力度和电阻接触式开关在低频段的高隔离度从而在等[5] 由于优良的微波特性 MEMS开关可以用比较宽的频带内得到较高的隔离度另外采用双边 290 半导体技术第31卷第4期 2006年4月支撑技术 T Supporting Technology S 加直流驱动电极的方法使直流驱动与交流信号分离避免了接触式开关直流驱动与地的直接接触 2 结构和工作原理如图1所示开关级联组合中的MEMS电容耦 [2] 合式开关与基本的MEMS并联膜开关结构的区别