高隔离度双极化微带天线阵的设计 design of dual-polarized high isolation microstrip antenna array.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高隔离度双极化微带天线阵的设计 design of dual-polarized high isolation microstrip antenna array.pdf

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高隔离度双极化微带天线阵的设计 design of dual-polarized high isolation microstrip antenna array

电子测量技术第29卷第6期 M：EASUREMENT ELECTRONIC TECHNOLoGY 2006年12月高隔离度双极化微带天线阵的设计黄盈禚1，2 李倩1’2 吕晓德1 (1．中国科学院电子学研究所北京100080；2．中国科学院研究生院北京100080) 摘要：本文介绍了一种新型高隔离度2×2双极化微带天线阵的设计。该天线阵列采用多层贴片，H型缝隙耦合结构，馈网设计中应用错位倒相技术，获得了较高的性能。利用微波仿真软件HFss进行仿真，结果表明：天线2个端口的驻波比小于2的相对带宽均达到12．5％；在工作频带内其双端口隔离度S21高于48dB；并且2个极化端口在其对应主平面方向的交叉极化电平均低于一38dB。此天线可作为新一代多极化SAR系统天线的子阵。关键词：双极化；微带天线；隔离度；交叉极化 of isolation antenna Designdual—polarizedhigll microstriparray Lv “Qianl2Xiaodel HuangYingchunl’2 of (1．Instituteof日ectronjcs，chineseAcademy 1000805 sciences，Be巧ing 2．Graduate of Sch砌，ChineseAcademySciences，Beijillg100080) Abs雠出：The and anew anterHla paperpresenteddevelopeddual_polarizedH—shapedslot-coupledmicrostrippatch wasbasedonaslotmulti—stacked and 1ayoutincorporatesthe toachieve array，which patch anti—phasefeedingtechnique isolation radiationTheHFSSresultsshowthatthebarldwidthsof reaches high duah)01arized VSWR212．5％in both theis01ationbetweentheexcitationis than48dBoverthis Thecros争 ports，and portsgreater frequencyraT堰e． islowerthan一38dBinbothhorizontalandvertical This canbeusedinSAR poladzationsuppression ports． array forits system highperfo