高功率980nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器的优化 high-power ridge-waveguide tapered diode lasers at 980nm.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高功率980nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器的优化 high-power ridge-waveguide tapered diode lasers at 980nm.pdf

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高功率980nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器的优化 high-power ridge-waveguide tapered diode lasers at 980nm

第28卷第5期半导体学报 V01．28No．5 JOURNALOFSEMICONDUCTORS May，2007 2007年5月 CHINESE DiodeLasersat980nm Tapered Ridge-Waveguide High—Power Li Liu Jing+，MaXiaoyu，andYuanyuan Devices，Institute ResearchCenterfor ofSemiconductors (NationalEngineering Opto·Electronic Chinese 100083，China) AcademyofSciences，Beijing at werefabricated·Lasers InGaAs-A1GaAslasers 980nm Abstract：High．powerridge—waveguidetapered emitting ofthe were to theinflu。 withatotal L=1850“manddifferent ridgewaveguideL，w processedstudy length lengths deviceshavethe maxi- enceofthe sectionoilthe mode L。。is optimized straight spatialfiltering．When450弘m，the P 4．28W．Thebeam ratioM2is3．79at beam the is mum and outputpower propagation outputpower quality．and 1W． factor propagation Keywords：tapered；ridge—wavcguide；980nm；beam EEACC：4320J Documentcode：A ArticleID：0253-4177(2007)05—0645-06 CLCnumber：TN248．4 1 Introduction fiber Erbium．dopedamplifiers(EDFAs)are indense devices important wavelength—division la—