高隔离度宽频段组合式rf-mems开关的设计 design of high isolation contactcapacitive rf mems switch with wide bandwidth.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高隔离度宽频段组合式rf-mems开关的设计 design of high isolation contactcapacitive rf mems switch with wide bandwidth.pdf

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高隔离度宽频段组合式rf-mems开关的设计 design of high isolation contactcapacitive rf mems switch with wide bandwidth

伊 M如硼喇曲2 ofD国evice步粼缝A坤U与catJo应n 高隔离度宽频段组合式RF．MEMS开关的设计孙建海，崔大付，张璐璐 (中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室，北京100080) 摘要：接触式与电容耦合式两类RFMEMS开关各自在一定的频段内，都具有较高的隔离度，但仍然很难满足微波控制系统中对高隔离度的要求。为了获得全波段高隔离度RFMEMS开关，单元开关很难达到要求，在此目标要求下，提出了组合式RFMEMS开关的设计，分别利用HFSS 软件对各单元进行结构参数优化，再将两者集成在一起，得到的组合式RFMEMS开关，这种组合式开关在0—20GI-Iz时隔离度都高于一60 GHz)，隔离度高于一70 dB，在(≤5 dB，这是一般单元开关及其他半导体固态开关所无法企及的，而且，在DC～20GHz范围内，开关的插入损耗小于一O．20 dB，而且并没因隔离度的提高，牺牲了插入损耗。关键词：组合式射频微电子机械系统开关；插入损耗；隔离度；微波控制系统中图分类号：TM564；文献标识码：A of Isolation RFMEMS DesignHigh Contact／Capacitive SwitchwithWideBandwidth Sun Lulu Jianhai，Cui Dafu，Zhang Transducer (StateKeyLaboratoryof Electronics，ChineseSc／ences， Technology，Instituteof Academyof 100080，‰) Being Abstract：TheDCcontactRFMEMSswitchandthe RFMEMSswitchshow isolationfor capacitive high of in a弛difficuhto the isolationthe specialfrequencyrespectively。butthey hiigh satisfyapplication contml microwave ordertoobtain isolationforall contact／ system．In high microwaves，anintegrated RF MEMSswitchWag insteadoftheunit ofthe