退火温度对lanio3薄膜组织结构及电阻率的影响-有色金属冶炼部分.doc

退火温度对LaNiO3薄膜组织结构及电阻率的影响 冯治棋1，戴培华2，席博2 (1兰州理工大学 材料学院，兰州 730050；2.兰州理工大学 甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点验室，兰州 730050) 摘要：采用射频磁控溅射法在Si（111）上制备出LaNiO3薄膜，通过XRD、SEM等表眀，LaNiO3薄膜在未退火状态下出现一定的择优取向，在空气随着退火温度的增加，结晶性好，出现钙钛矿型结构900 ℃退火时出现杂相，LaNiO3发生分解表面形貌发生巨大变化电阻率与结构中的氧空位有密切联系，退火温度增加，氧空位减少，电阻率减小在700 ℃退火时得到1.59 Ωcm的最小电阻率。 关键词：LaNiO3薄膜退火温度电阻率ct of Annealing Temperature on Structure and Resistivity of LaNiO3 Film FENG Zhi-qi1, DAI Pei-hua2, Xi Bo2 （1. Department of Materials Science and Engineer, Lanzhou University of Technology, Lanzhou 730050, China2. State Key Laboratory of Gansu Advanced Non-Ferrous Materials, Lanzhou University of Technology, Lanzhou 730050, China) Abstract: LaNiO3 thin films were prepared on Si(111) with radio frequency magnetron sputtering (RFMS) method and characterized by XRD and SEM. The results show that a certain degree of preferred orientation appears in LaNiO3 film under unannealed state. The higher the annealing temperature in air is, the better the film’s crystallinity is, and perovskite type structure occurs. When the annealing temperature reaches 900 ℃, a hetero phase occurs, and the surface morphology changes dramatically due to decomposition of LaNiO3. The resistivity is closely linked with oxygen vacancies in the structure. The higher the annealing temperature is, the less the oxygen vacancies and the resistivity are. The minimum resistivity of 1.59 Ω·cm is obtained in film when annealed at 700 ℃. Key words: LaNiO3; film; annealing temperature; resistivity 氧化物薄膜在高温超导、铁电、巨磁效应领域有着广泛的前景，这类氧化物的性能与结构和形貌有联系。LaNiO3是一种导电的金属性化合物，准立方的钙钛矿型结构，晶格常数为0.383 nm。LNO没有禁带，其导电是由Ni3+的（eg）d电子与的p电子相互作用形成的，所以Ni3+部分充满的eg电子参与形成倒带。在严格化学计量比的LaNiO3中，O的2p能带与Ni的3d8能带交迭，费米能级位于2p-Ni的交迭区。使Ni的3d8带部分被电子填充，随着氧缺失的增加，交迭区逐渐减小并最终消失LaNiO3由金属型氧化物过渡到半导体。对于存在大量缺陷的LaNiO3-x，其中O的2p与Ni的3d8无交迭，费米能级位于3d8-Ni与3d9-Ni之间，其中3d8-Ni为全满，3d9-Ni为全空，LaNiO3薄膜表现为绝缘体行为。它具有很好的热稳定性，而薄膜的性能与它的工艺条件有密切的联系。1 试验方法 其它方法相比，射频磁控溅射法具有气体离化率大、沉积速率高等优点。采用Si111)为衬底24 mm×24 mm)与LaNiO3靶材Ф52 mm×4 mm)，衬底与靶距离75 mm，衬底温度300 ℃，背景真空采用4.0×10-4 Pa，工作