低压氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌-无机材料学报.pdf

七 第 卷 第 期 无 机 材 料 学 报 、 年 月 , 一 一 文章编号 一 低压 氮化硅薄膜 的沉积速率和表 面形貌 , , , , 刘 学建 ‘ 金 承 钮 张俊计 黄智 勇 黄莉 萍 中 国科 学院 土 海 硅 酸 盐 研 究 所 , 上 海 上 海 交 通 大 学 , 上 海 摘 要 以三氯硅烷 和 氨气分别作为低压化学气相沉积 氮化硅 薄膜 二 的硅 和 源 , 以 为 , 在热 型 式反 炉 , 助 圆 振 和 力 显 源 氮 高纯 氮气 载气 壁 管 应 中 借 椭 偏 仪 原子 微 镜 , 系统考察 了工作 总压 力 、 反 应 温度 、 气体原料组成等工艺 因素对 二 薄膜沉积速 率和 表 面形貌 的影 响 结果表 明 随着工作压 力 的增大 , 二 薄膜 的沉积速率逐渐增加 , 并产生 一 个 峰值 随着原料气 中 流量 比值 的增大 , 二 薄膜 的沉积速 率逐 渐增 加 ,