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外延技术 小组成员：秦奋，王昌赢，杨飒，张德清 主要内容 外延技术简介 外延技术分类 气相外延技术 分子束外延 外延技术应用前景 外延技术简介 概念：在微电子工艺中，外延是指在单 晶衬底上，用物理的或化学的方法，按 衬底晶向排列（生长）单晶膜的工艺过 程。 应用： 应用于高频大功率器件，提高器 外延生长的新单晶层可在 件设计的灵活性和性能 导电类型、电阻率等方面 与衬底不同，还可以生长 不同厚度和不同要求的多 层单晶 应用于大规模集成电路，实现PN 结的隔离，并且改善材料质量 外延技术分类 气相外延工艺成熟，可很好的控制薄膜厚度，杂质  气相外延 浓度和晶格的完整性，在硅工艺中一直占主导地位 有较高的生长速率，晶体完整性好纯度高，操作安  液相外延 全、简便，但是当外延层与衬底晶格常数差大于1% 时，不能进行很好的生长。而且外延层表面一般不 如气相外延好。 使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易  分子束外延 于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而 迅速调整。 气相外延VPE 原理：含Si外延层材料的物质以 气相形式输运至衬底，在高温下 分解或发生化学反应，在单晶衬 底上生长出与衬底取向一致的单 晶。 常用硅源 • 四氯化硅 SiCl (sil.tet)，是应用最广泛，也是研究最多的硅源-- 4 主要应用于传统外延工艺 • 三氯硅烷 SiHCl (TCS)，和 SiCl 类似但温度有所降低常规外 3 4 延生长 • 二氯硅烷SiH Cl ( DCS) 更低温度，选择外延 2 2 • 硅烷SiH ，更适应薄外延层和低温生长要求，得到广泛应用。 4 • 新硅源：二硅烷Si H 低温外延 2 6 装置：气相外延生长使用高频感应炉加热，衬底置于包有碳化硅、玻璃态 石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上，然后放进石英反应器中。为了制备 优质的外延层，必须保证原料的纯度。对于硅外延生长，氢气必须用钯管或 分子筛等加以净化,使露点在-7℃以下；为获得平整的表面，衬底必须严格抛 光并防止表面有颗粒或化学物质的沾污；在外延生长前，反应管内在高温下 用干燥氯化氢、溴或溴化氢进行原位抛光，以减少层错缺陷; 为得到重复均 匀的厚度和掺杂浓度分布，还须控制温度分布和选择合适的气流模型。 气相外延设备示意图 外延生长工艺流程： N 预冲洗→H 预冲洗→升温至850℃→通入 2 2 HCL→升温至1170℃→HCl排空→HCl抛光→H 冲洗 2 附面层→外延生长（通入反应剂及掺杂剂）→H2 冲洗1170℃→降温→N 冲洗 2 气相外延设备示意图 分子束外延MBE 原理：在超高真空条件下，由装有各种所需组分 的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分 子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上， 同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子