基于太阳能电池烧结匹配性研究.docVIP

基于太阳能电池烧结匹配性研究每一批次硅片由于其杂质掺入的比例以及深度的不同，每批硅片都有其最佳的烧结点，当温度过高或者过低，都不能达到我们理想的烧结效果。欠烧时，欧姆接触没有完全形成，串联电阻便会偏大，填充因子偏低；过烧时，硅片表面的扩散磷在高温下被驱赶到硅片的深处，而银浆中的磷不能形成充分的磷源补充，硅片表面的杂质浓度就会下降，接触电阻就会增加，同时银硅合金也会消耗过多的银，此时的银硅合金层相当于隔离层，阻止了载流子的输出，也会增加接触电阻，降低填充因子。因此通过考察接触电阻的好坏以及p-n结特性我们便可以判断出烧结情况的好坏。结合并联电阻以及反向电流的考察，我们便可以大体判断出烧结的调节方向，过烧时会导致电极烧穿，更多的杂质驱散到p-n结附近，增加了局部漏电的几率[10]，这时所表现出来的特征就是并联电阻偏小，反向电流偏大，同时温度过高时表面复合几率增大，短路电流也会相应减小。因此烧结匹配性的判断主要是对串联电阻中的接触电阻、并联电阻、填充因子、反向电流以及短路电流的综合判断。 实验 1）样品：实验选用面积为156mmtimes;156mm,晶向为lt;100gt;的p型单晶硅片作为实验样品，其电导率为0.5Omega;cm～2.0Omega;cm，原始硅片厚度约200mu;m。实验样品共分为11组，每组样品20片。2）实验步骤：实验步骤如下：清洗制绒rarr;扩散制结rarr;刻蚀rarr;去磷硅玻璃rarr;镀减反射膜rarr;印刷rarr;高温烧结rarr;测试统计平均数据rarr;调节烧结工艺rarr;分析结论。（1）清洗制绒，采用低浓度的碱溶液腐蚀制备绒面，降低硅片的反射率。（2）扩散制结，使用液态POCl3作为磷源在高温下扩散形成p-n结，使用semilab公司的方阻测试仪SHR-1000测试方阻，控制方阻范围53Omega;/□～57Omega;/□。（3）采用CF4和O2的等离子体进行硅片边缘刻蚀。（4）用适当的浓度的HF酸去除附着的磷硅玻璃。（5）采用常规的工艺在硅片表面淀积一层SiNx:H减反射膜，使用semilab公司的LE-100PV椭偏仪测量薄膜的厚度以及折射率，显示为膜厚75nm，折射率为2.01。（6）印刷和烧结：用Baccini丝网印刷机对硅片进行电极印刷，并用Despatch烧结炉以20片为一组，根据烧结结果对烧结炉进行反复调节。这里主用采取控制变量法，先控制烧结炉1区～8区温度不变，调节烧结炉的9区得到一个相对好的烧结点，然后控制1区～7区以及9区温度不变，调节8区温度，以获得最佳匹配温度。其中1区～7区在整个实验过程中未进行调节，为常见的陡坡式烧结曲线，其温度设置见表1（略）。（7）保持8区温度不变，设为820℃，调节9区温度得到的结果见表2。（8）保持9区温度不变，设为925℃，调节8区温度得到表格3的结果。 数据及分析 实验的数据结果是由pss10太阳能光伏模拟器测试得出，以20片的平均数据为参考，避免了单片的波动性造成的数据失真。对比表2和表3的烧结数据，我们不难发现Uoc、Isc、Rs、Rsh、FF和eta;在不同的烧结温度下，都有了改变。尤其是Rs、Rsh、FF以及eta;变化比较明显。实验过程中，我们控制其余8个区域，分别向过烧以及欠烧的方向调节，以期找到最为合适的烧结点。为方便数据的分析，我们将烧结的数据调整为温度逐渐升高的过程。分析九区的烧结数据，如图1所示（略），我们发现随温度的持续升高，电池背场烧结的更充分，电池的串联电阻持续得到改善，填充因子增大，效率提高。继续升高温度，除了串联电阻有了较大的下降以及填充因子有所上升外，其他的参数都变得更差，继续调高温度，电池的各项参都变得恶化。而串联电阻在第5组温度下得以改善，很有可能是温度较高，正面银电极部分烧穿，导致的串阻大幅度下降。而填充因子可以看成是串联电阻的函数，如公式所示。FFUUU=R++ocococsln(.)()07211式中：FF为填充因子；Uoc为开路电压；Rs为串联电阻。由公式，当串联电阻有较大下降时，FF有一个改善的过程。分析以上的烧结过程，当8区温度保持不变时，第4组数据烧结工艺温度设置是最为理想的。与最初的烧结工艺相比，效率提高了0.28%。得到了9区的最佳烧结点后，我们控制9区温度保持不变，对8区进行调节，如图2所示。同样可以看到在8区温度持续升高的过程中，电池各项参数有一个持续改善，得到最佳烧结点，再到一个持续恶化的过程。通过对接触电阻的测量分析，如图3所示，我们也不难发现，接触电阻在电池片未烧透的情况下，接触电阻较高，随着烧结情况的改善，接触电阻有着明显的下降，随着温度过高，电池片有被过烧的倾向时，接触电阻又开始增大。在p-n结特性良好的情况下，接触电阻越小，电池片的各项参数