基极微空气桥和发射极空气桥的inpingaas hbt inpingaas heterojunction bipolar transistor with base μ-bridge and emitter air-bridge.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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基极微空气桥和发射极空气桥的inpingaas hbt inpingaas heterojunction bipolar transistor with base μ-bridge and emitter air-bridge.pdf

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基极微空气桥和发射极空气桥的inpingaas hbt inpingaas heterojunction bipolar transistor with base μ-bridge and emitter air-bridge

第28卷第2期半导体学报 V01．28No．2 OF Feb．，2007 2007年2月 CHINESEJOURNALSEMICoNDUCToRS unction TransistorwithBase InP／InGaAs Heteroj Bipolar andEmitter p—Bridge Air—Bridge‘ Yu Runmeil，XuAnhuai2，andQi Jinyon91，LiuXinyul”，SuShubin91，Wang Min92 (1InstituteMicroelectronics，Chinese 10002’·China) of AcademyofSciences，Beijing (2 and 200050，China) InstituteofMicrosystem Technology，ChineseAcademyofSciences·Shanghai Shanghai Information andemitter Abstract：AnInP—based transistor(SHBT)with single-heterojunctionbipolar base肛一blldge air—bridge ofthe is those reduce cutoff T 2“m× reported．Becausebridges parasiticcapacitancegreatly，thefrequency InP reaches178GHz．Itiscriticalin low 12．5“m SHBTwithout powerapplications，such de一毫mbedding high·speed asOEICreceiversand converters． analog—to—digital Keywords：InP；HBT；wbridge；air—bridge；self—aligning EEACC：2560J Article CLCnumber：TN385Documentcode：A ID：0253—4177(2007)02—0154—05 was DHBTwith than100GHz fThigher reported 1 Introduction