基于cmos工艺的低噪声高稳定性ldo的设计 design of low noise high stability ldo based on cmos process.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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基于cmos工艺的低噪声高稳定性ldo的设计 design of low noise high stability ldo based on cmos process.pdf

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基于cmos工艺的低噪声高稳定性ldo的设计 design of low noise high stability ldo based on cmos process

舅，集成电路设计与开发俨D％l口mdmeI∞memofIc 基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计徐静萍1’2，来新泉2 摘要：介绍了一种LD0线性稳压器电路，培出了基奉结构厦其工作原理。重点分析了产生噪声的原因以魔用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点，针对输出短路或者负栽电流过大设计了过流保护电路。整个电路采用HYNⅨ05扯m cMOs工艺实现，基于HsPIcE进行仿真验证，输出噪声为1 dB，相 pV(删)，典型环路增益为60 位裕度65。，证明了稳压嚣的低噪声和高稳定性。关键词：【DO线性稳压器；旁路滤噪；低噪声；动态补偿中图分类号：『舳2 文献标识码：A 文章编号：1003．353x(2007)12．1056．04 of LD0Basedon LowNoise CMOSProcess DesigIl HighStability XU xin-qu肌2 Jing-pill91”，LAI (1．砘删矿皿蝴廊删坳删啪矗如Ⅵt而’锄U，咖时谚胁栅纰咖∽k咖，瓜’Bn71 0121，曲im；2饥口妇矿剧咄枷mcAD，工‰脚跏竹，倒’矾710071，ch汛d) hs记nTLlcmrealld Abstnct：U)O(10w w∞intmduced，tlle dr印out)line盯Mgulator opeIacl帆d sources征Ⅱle pdncip且1we地p。哪ented．The noi∞we陀“y腊de。nphat记aⅡy，tlIebyp聃Bc8pacitor矗her ci嘣血蚰d inord盯to日chieve10wn0缸and dy删cfr。queⅡcy。oI“pensati蚰circu“w雠ad叩ted h1曲 0vercu珊nc circu“w船addedtode日1witll cu珊m． stabib巧 pr咖吐illg sh删∞tPutor‘00】a。铲load BasedonHYNⅨ0．5CM0s n0沁h1 pm proce8B，}IsPICE萄呲lation粥u】t8sh唧that叫咖t pV刚l蚰p 60dB蛐d noi鸵蛆d 0fLDO． gainis h诎nability pha靶mq；iⅡ讧65。，i‘Pr0惴thelow words：ⅡIO 1晒7 6lte“lownoise；dyn且IIlic∞加pensadoⅡ liⅡe盯fegIIl且lor；byP衄sc8pacitor EEACC：1205 路、误差放大器、调整元件、采样电阻及保护电路 1 引言