基于电流源驱动的mosfet管损耗模型及分析 analysis of mosfet loss model based on current source driver.pdfVIP

第 30 卷 第 10 期 电 力 自 动 化 设 备 Ｖｏｌ．30 Ｎｏ.10 ２０ 10 年 10 月 Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Oct. ２０ 10 基于电流源驱动的 MOSFET 管损耗模型及分析 陈宗祥 ，束 林 ，刘雁 飞 ，葛芦生 （安徽 工业 大学 电力 电子 与 电力传动 重点 实验 室 ，安徽 马鞍 山 243000 ） 摘要 ： 对 于 以电压 源方式驱动 功率 MOSFET 管 ，随着开关频 率 的提 高 ，其 开关损耗将 显著增加 。 以此 为切入 点对 电流 源驱动 功 率 MOSFET 管进行 了研 究 。 在 对 电流 源驱动 MOSFET 管原理性 分析 的基础 上 ，通过详 细 地 分析 功率 MOSFET 管的开关过程 ，建立 MOSFET 管开关损耗模 型 ，求解得 到 漏极 电流 、漏 源 电压 与栅 源 电 压之 间关 系 证 明 了电流 源驱动在 减 少开关时 间和 开关损耗 上 的优越 性 在 开 关频 率 为 输入 电压 为 ， 。 、 1 MHz 12 V 、输 出电压 和 电流分 别 为 1.3 V 和 25 A 的低 压 大 电流 实验 平 台上进 行 了验证 ，实验 结果证 明 了所提 出 的 MOSFET 管损耗模 型 的正确性 。 关键词 ： 电流 源驱动 ； MOSFET ； 损耗 分析 ； Buck 变换 器 ； 高频 ； 低 压 大 电流 中图分 类号 ： TN 386.1 文献标识码 ： A 文章编 号 ： １００６ － ６０４７ （2０ 10 ）10 － ０050 － ０4 充 电 的过 程 中 ，保 持 充 电 电流 不 变 ［15 ］ ，如 图 2 所 示 0 引言 （图 中 Ｉpl鄄on 、Ipl鄄off 分 别 表 示 开 通 和关 断 时米 勒 平 台 电 流 ， 、 分别 表示 开通 和关 断 时刻 的门槛 电流 ）， 目前 ，随着 微 电子 技 术 的发 展 ，电力 电子 电路 Ｉth鄄on Ith鄄off 正 在 由千 赫兹 向兆 赫兹 高频 化 方 向发 展 以期 提 高 则开关 时 间将缩短 ，开关损耗 降低 。 基 于这种思想 ， ， 电源装置 的功率密度 ［1鄄4］。 由于功率 MOSFET 管快速