行业标准非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试.DOC

前 言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替YS/T697-2008《非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法》。本标准与YS/T697-2008相比，主要有如下变动： 增加附录A铁含量测试 增加附录B数字示波器记录（DOR） ——YS/T697-2008。 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 适用范围 1.1 本方法适用于非本征半导体材料单晶样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于4倍的扩散长度。 1.2 本方法是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化镓（同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品的制备工艺）上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本方法也可用于硅片的洁净区的宽度测定。由于扩散长度与器件性能密切相关，本方法应用光电池和其他光学器件的材料的测试3 术语和定义 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 方法概述 4.1方法A 4.1.1用能量稍大于半导体样品禁带宽度的斩波单色光照射样品表面。产生电子空穴对并扩散到样品的表面，电子空穴对由耗尽区电场将其分离，产生表面光电压（SPV）。耗尽区可以由表面态、表面势垒、p-n结或液态结形成； 4.1.2 SPV信号被电容耦合或直接连接到一锁相放大器中进行放大与测量； 4.1.3对所有光照能量范围调节光强度得到相同的SPV值。 4.1.4对每一选择能量，由光强对能量吸收系数的倒数作图。 4.1.5将所得直线外推到零光强处，其负的截距值就是有效扩散长度。 4.1.6利用探测器的信号反馈到光源，和一个为单色仪配备的步进马达能够实现自动化测量。 4.2方法B 4.2.1首先在两个不同的光子通量下测量由白色光斩波器产生的表面光电压，以保证在光子通量内SPV是线性的； 4.2.2然后，由一组窄带滤波器在线性SPV范围内且恒定的光子通量下产生一单色光，对一系列选定的能量大于半导体样品禁带宽度的光子产生的表面光电压SPV进行测量。 4.2.3随光子能量单调增加的SPV值的倒数对所选择的相应样品的吸收系数的倒数作图。 4.2.4拟合的直线被外推到零光强处，负的截距值就是有效扩散长度。为消除表面复合作用的干扰，单调变化区域以外的值由分析决定舍弃。 4.2.5采用在探针下移动样品的方法能够以小面积的接触测量SPV，做出扩散长度的区域图。 4.2.6为滤光盘和样品台安装步进马达可以实现自动化测量。不必将信号反馈到光源。 4.3方法C——数字示波器记录法（DOR） .3.1用红外辐射矩形脉冲照射样品表面； 4.3.2脉冲SPV信号由电容耦合进入高输入阻抗放大器并进入数字示波器； 4.3.3辐射脉冲的持续时间应当超过信号上升沿持续时间的3倍，脉冲间隔应当超过下降沿持续时间的3倍。为了得到正确的SPV的脉冲振幅和形状，测试电流的持续时间应该比该脉冲完整的持续时间还要长3倍； 4.3.4 通过一个指数函数上升沿的回归来确定稳态的SPV； 4.3.5这个函数的振幅即稳态的SPV； 4.3.6 红外辐射辐照度的几个数值可推断出稳态的SPV； 4.3.7 完成依赖于红外辐射辐照度的稳态SPV的功率函数的回归，可确定原点就是这个函数的导数值； 4.3.8 通过多个波长在原点的导数值可计算出有效扩散长度； 4.3.9少数载流子扩散长度通过方法C是可以被自动测试确定。 5 干扰因素 5.1 测量的可信程度依赖于已知吸收系数与光子能（波长）关系的精度。 .1.1表面强烈影响吸收特性。测试方法外延层应力化学或化学机械抛光的表面。5.1.2 自由载流子吸收可影响长波长下的SPV测量，因此本标准不适用于重掺硅片。 5.1.3 吸收系数依赖于温度，因此寿命和扩散长度是温度的函数。本方法测量的扩散长度仅在室温22±0.5°C下进行。 5.2 为了更准确的测量，被测区域的厚度必须大于4倍的扩散长度。当扩散长度超过厚度两倍时，可能要对扩散长度进行评估，测量后应分析厚度条件。 5.2.1 对在表面层（外延层或洁净区）上的测量，如果表面层厚度小于截距的一半，截距值可以被认为是衬底的扩散长度。 5.2.2如果表面层厚度在截距的一半到四倍之间，提供已知的表面层的厚度就可以估计出表面层的扩散长度。反之，如果在表面层和衬底区域中扩散长度的比例能被确定，表面层的厚度可以被推断。 5.3 只有在样品总厚度大于光照最长波长（最小的能量）吸收系数倒数的三倍时，SPV曲线是线性的，因此在测量前应估算波长的上限。 5.4 长驰豫时间时，表面状态的变化可以引起SPV信号幅度随时间缓慢的漂移。因此在测量条件下允许足够长的时间使表面趋于平衡，然后尽快进行测量可以