集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究 research on copper sputtering targets in ulsi and related problems.pdfVIP

10.3969/j.issn.1003-353x.2011.11.003 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究 高岩1,2 王欣平1,2 何金江1,2 董亭义1,2 蒋宇辉1 江轩1,2 1.北京有色金属研究总院，北京100088;2.有研亿金新材料股份有限公司，北京102200 摘要：随着半导体技术的发展，芯片特征尺寸缩小到深亚微米和纳米时，铜互连技术在集成 电路的设计和制造中成为主流技术，从而对高纯铜靶材的要求越来越高。从靶材制造的角度利用 材料学的知识对铜靶材的晶体结构、纯度、致密度、微观组织及焊接性能等方面作了分析，并且 较全面地分析了可能影响靶材溅射性能的很多关键因素，从而为靶材供应商和集成电路制造商对 于铜靶材的了解搭建了桥梁，为进一步开发超大尺寸的高纯铜靶材打下基础。 集成电路IC；互连线；焊接强度；铜靶材；溅射 TG146.11 A 1003-353X (2011) 11-0826-05 ResearchonCopperSputteringTargetsinULSIandRelatedProblems Gao Yan WangXinpingHeJinjiang DongTingyi JiangYuhuiJiangXuan 基金项目：国家科技重大专项资助项目(2011ZX02705 - 004) 827 2011年11月 829 @@[1] 翁寿松.铜布线及其设备[J].电子工业专用设备， 1999(3):13-15，18. @@[2]胡赓祥，蔡珣.材料科学基础[M].上海：上海交通 大学出版社，2002:17-19. @@[3] 禹泽海，孙鹏，汪春平，等.高纯铜溅射靶材的发 展及现状[J].山西冶金，2007，109(5):4-6. @@[4] 尚再艳，江轩，李勇军，等.集成电路制造用溅射 靶材[J].稀有金属，2005(4)：475-477. @@[5] 金永中，刘东亮，陈建.溅射靶材的制备及应用研究 [J].四川理工学院学报，2005，18(3):22-24. @@[6]米国发，赵恒涛，王狂飞.压力及铸型材料对Al-Si 合金致密度的影响[J].制造技术研究，2007，6 (3):1-4. @@[7] 霍尼韦尔国际公司.铜溅射靶和形成铜溅射靶的方 法：英国,W02004/011691[P].2004-02-05. @@[8]张皓琨，刘丹敏，李洪宾，等.采用EBSD方法研究 高纯Al溅射靶材 的微结构 [J].电子显微学报， 2008，27(6):491-494. @@[9] 陈智涛，李瑞伟.集成电路片内铜互连技术的发展 [J].微电子学，2001(31):239-241. @@[10]株士会 日矿材料.铜合金溅射靶、其制造方法以及 半导体元件布线 ： 日本，WO2004/083482[P]. 2004-09-30. @@[11] SEGALVM,YIWW,WUC. Coppersputtering targetsandmethodsofformingcoppersputteringtargets: USA, 2009/0020192 Al [P]. 2009-01 -22. @@[12]霍尼韦尔国际公司.在三元混合物中包含铜的PVD 靶和形成铜PVD靶的方法：英国，WO2005/021828 [P].2005-03-10. @@[13] 吴丽君.发展中的溅射靶材[J].真空科学与技术， 2001(4):342-347. @@[14]何金江，王欣平，陈明.一种大面积靶材压力焊接 的方法：中国,101279401A [P]. 2008-10.