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基于扇形霍尔板几何修正因子的分裂漏磁敏场效应晶体管相对灵敏度研究 relative sensitivity of sector split-drain magnetic field-effect transistor based on geometrical correction factor of sector hall plate
第 卷 第 期 半 导 体 学 报
27 12 VOl.27 NO.12
年 月
2006 12 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS Dec. 2006
基于扇形霍尔板几何修正因子的分裂漏
磁敏场效应晶体管相对灵敏度研究%
刘 同 朱大中
C浙江大学微电子与光电子研究所 杭州 310027
摘要!采用保角变换方法推导出扇形霍尔板的几何修正因子 并根据几何修正因子得到扇形分裂漏场效应晶体管
相对灵敏度的解析表达式 通过计算机模拟和实验测试结果的验证 进一步完善了扇形磁敏分裂漏场效应管相对.
灵敏度的数学模型 相比矩形结构磁敏场效应晶体管 扇形磁敏场效应晶体管具有更高的相对灵敏度 测试所获最. .
大灵敏度为 -1 根据本文模型 最大相对灵敏度应为 -1
3.77%T 3.81%T .
关键词!MAGFET;保角变换;几何修正因子;相对灵敏度;数学模型
: ;
EEACC 2560 3120
中图分类号! 文献标识码! 文章编号! #
TN432 A 0253-4177 2006 12-2155-05
法与电子线路仿真兼容 依赖于准确可靠的工艺参
l 引言 数 但扇形 MAGFET 不属于代工厂生产的标准
MOSFET 所以常用的BSIM 参数不能准确反映扇
分裂漏磁敏场效应晶体管C 是一 形器件物理特征 故此方法不适合扇形 MAGFET
SD MAGFET
种特殊结构的场效应晶体管C 它通过漏 的灵敏度计算;基于半导体方程数值模拟的建模方
MOSFET
极分裂的设计 可以探测磁场作用下不同漏极之间 法精度高 可靠性好 是器件设计所必须的步骤 缺
的微小电流偏差 将磁信号转换为电信号 分裂漏. 点是灵敏度与 MAGFET 几何参数的关系不够明
凭借与标准 工艺兼容的优点 使 确; 的建模过程不如数值模拟简便 由于引进了
MAGFET CMOS Lau
磁敏传感器与其后续的信号处理电路兼容集成 因 更多的参数反而显得繁杂 并不能有效地用于
而应用范围广 有重要的研究价值. MAGFET 的设计.
扇形分裂漏磁敏场效应管的沟道几何形状显著 本文通过保角变换方法建立扇形
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