热处理对低温制备纳米结构二氧化钛薄膜光催化性能影响.pdfVIP

摘 要 近三十年来，半导体光催化引起了人们的广泛关注，其中二氧化钛(Ti02)以其优 异的物理化学性质被视为一种理想的光催化剂。目前很多研究小组成功地将Ti02光催 化运用到污水处理中，并取得了不少成果。但由于现在Ti02光催化尚存在一些问题， 如处理效率低、太阳能利用率低等，大大限制了这种材料的工业化运用。 本文采用两种不同的低温制各方法分别制各出了纳米晶态Ti02薄膜，研究了两种 薄膜低温形成的机理；研究了热处理对两种低温制备纳米晶态Ti02薄膜光降解若丹明B (RB)的能力的影响。最后，对实验中发现的光催化薄膜的“自然时效”现象的可能 机理进行了初步探讨。 利用双氧水直接氧化法制备了表面多孔结构及纳米棒阵列结构的Ti02薄膜。场发 射扫描电镜(FE．SEM)观察结果表明，钛片与30wt％的双氧水反应不同时间后，所得 薄膜的表面形貌演化过程为：反应10 min的时候钛片表面形成一层比较致密的Ti02膜； 反应至1h时，表面开始形成蜂窝状的多孔网络结构；反应到36h时，这种网络结构开 始通过溶解沉积机制形成了具有纳米棒阵列的表面形貌。X射线衍射(XRD)研究表明， 热处理之前，反应48 h和72 h之前的薄膜基本上为非晶态结构，反应60 h的薄膜具有 明显的锐钛矿相和金红石相的混晶结构；当薄膜经450。C热处理lh后，反应48h以 前的薄膜由纯锐钛矿相组成，而反应60h和72h的薄膜仍然保留热处理前的混晶结构。 离子色谱分析(1CP)结果表明，随着反应时f司的增加，反应液中Ti离子浓度上升，到 了1h后达到了最大值，而后随着反应时间的继续增加开始下降，反应12h后，其浓度 开始急剧下降，到了24h时溶液中基本上没有Ti(IV)离子的存在；对反应液中H202浓 度监测(GB h时， 1616．79)发现，随着反应时间的延长，H202浓度单调下降，到24 基本上检测不出溶液中的H202。综合上述实验结果，我们认为H202氧化法制备得到的 纳米Ti02薄膜顶层的纳米棒阵列是通过“定向粘附”生长而成的，薄膜低温晶化的可 能机理是溶解．沉积和原位晶化。 钛矿相组成，表面由分布均匀的致密颗粒膜及分散其上的颗粒团簇组成。薄膜的厚度随 着反应时间的增加而不断增厚。晶态薄膜的低温生长与F离子的存在有关：F的存在抑 制了薄膜沉积速率，从而有利于低温晶化过程。 研究了热处理温度对Ti与H202反应72 h得到的纳米棒阵列Ti02薄膜光催化性能 (PA)的影响。研究表明，随着热处理温度的上升，薄膜的PA变化经历了三个阶段： 第一阶段(340。c)，随着热处理温度的上升，薄膜的PAl急剧下降，导致这种变化的 主要原因是表面羟基和活性氧等基团的损失；第二阶段(340～450。C)，由于薄膜的结 晶度显著提高，薄膜的PA开始回升；第三阶段(450～700。c)，热处理导致薄膜的晶 粒长大起主要作用，因而薄膜的PA有所下降。 研究了热处理温度对TiF4在60。C水解72h得到的薄膜PA的影响。结果表明，随 着热处理温度的提高，薄膜的PA在300。C的时候有一个显著提高，到500oC时达到 最佳。其主要原因是当热处理温度大于283。C时能够完全去除薄膜中的F离子，而F 离子的存在减少了表面Ti．OH含量，不利于PA，所以300。C热处理比250。C热处理， 薄膜的PA有显著提高。当热处理温度继续提高，由于薄膜结晶度的提高对PA造成的 ● 有利影响大于晶粒长大所造成的不利影响，所以薄膜的PA继续提高，到500。C时达到 一个最佳值。薄膜的PA随着厚度的增加而上升。 本文最后研究了室温条件下陈放对Ti02薄膜光催化降解RB能力的影响。研究表明， 薄膜在空气中陈放一定时间有利于光催化性能的提高，我们将这种现象称为“自然时 效”。这种现象与薄膜的表面形貌无关，与Ti02薄膜的相组成无关，与制备方法无关， 是一种普遍存在的现象。电子自旋共