一种基于BCD工艺的850nm光接收芯片的研制-厦门大学学报自然.PDF

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一种基于BCD工艺的850nm光接收芯片的研制-厦门大学学报自然

49 5 厦门大学学报( 自然科学版) V ol . 4 9 N o. 5 20 10 9 Journal of X iam en U niversity ( N at ural Science) Sep . 2010 BCD850 nm 颜黄苹 程 翔 李继芳 黄元庆* ( 361005) : 0 . 5 m BCD 850 nm . BCD ; 4 3. 23 k 700 M H z . pA 0. 0 8 A/ W. 100 mW 4 nW; 3 13 M bit/ s - 13. 0 dB m ; 622 M bit/ s . : ; BCD; ; : T N 4 91 : A : 043 80479( 20 10) . GaA s CM OS InP . 850 nm . 0. 5 m BCD 850 nm 0 . 08 A/ W . 622 M bit / s. DV D/ CDRO M 850 nm 1 . 1. 1 Bipo lar 850 nm 0. 5 m CM O SBiCM OSBCD ( BipolarCM O S DM O S) BCD BN + SOI ( Silicononin sulat or ) . BipolarBiCM O S PIN [ 12] SO I . . P + N + CM O S Bipolar NEP I 1 ; CM OS BiCM OSBCD . BN + SOI . 2009 N + ; NEPI [ 3] K ao 0. 18 m CM O S P+ 5 Gb/ s [ 46] 0. 05 A/ W . Garr et t Z im mermann CM O S CM O S . CM OS BCD Bipolar CM O S DM OS : : ( 3502 1 * : hu angy q@ x m u. edu. cn F ig. 1 Str ucture o f pho todet ecto r 5 : BCD 850 nm

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