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一种基于BCD工艺的850nm光接收芯片的研制-厦门大学学报自然
49 5 厦门大学学报( 自然科学版) V ol . 4 9 N o. 5
20 10 9 Journal of X iam en U niversity ( N at ural Science) Sep . 2010
BCD850 nm
颜黄苹 程 翔 李继芳 黄元庆*
( 361005)
: 0 . 5 m BCD 850 nm .
BCD ; 4 3. 23 k
700 M H z . pA 0. 0 8 A/ W. 100 mW
4 nW; 3 13 M bit/ s - 13. 0 dB m ;
622 M bit/ s .
: ; BCD; ;
: T N 4 91 : A : 043 80479( 20 10)
. GaA s CM OS
InP
. 850 nm . 0. 5 m BCD
850 nm
0 . 08 A/ W
. 622 M bit / s.
DV D/ CDRO M 850 nm 1
. 1. 1
Bipo lar 850 nm 0. 5 m
CM O SBiCM OSBCD ( BipolarCM O S DM O S) BCD BN +
SOI ( Silicononin sulat or ) . BipolarBiCM O S PIN
[ 12]
SO I . . P + N +
CM O S Bipolar NEP I 1
; CM OS BiCM OSBCD . BN +
SOI . 2009 N + ; NEPI
[ 3]
K ao 0. 18 m CM O S P+
5 Gb/ s
[ 46]
0. 05 A/ W . Garr et t Z im mermann
CM O S
CM O S . CM OS
BCD
Bipolar CM O S
DM OS
:
: ( 3502 1
* : hu angy q@ x m u. edu. cn F ig. 1 Str ucture o f pho todet ecto r
5 : BCD 850 nm
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