随机掺杂波动引起阈值电压偏离的统计分析 statistical analysis of random doping induced threshold voltage variations.pdfVIP

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2017-08-14 发布于上海
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随机掺杂波动引起阈值电压偏离的统计分析 statistical analysis of random doping induced threshold voltage variations

1007-0249(2011)05-0043-04 随机掺杂波动引起阈值电压偏离的统计分析吕伟锋1,2 林弥2，孙玲玲2 1.浙江大学超大规模集成电路设计研究所，浙江杭州310027; 2杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室，浙江杭州310018 摘要：工艺参数波动和偏离已严重影响纳米集成电路制造性能和成品率，阈值电压是MOS集成电路设计中的重要参数，而随机掺杂工艺波动是引起阈值电压的偏离的一个重要因素。本文根据阈值电压的偏离的物理机制，通过统计分析的方法，推导随机掺杂波动引起阈值电压偏离标准差的简洁表达式，根据该公式计算了实际纳米工艺器件阈值电压偏离的标准差数据，该值接近40mV，该数据与相关工艺下其他论文的数据进行了对照，结果表明，本文采用统计学理论推导的公式不仅简洁而且能较精确的估算实际工艺下的阈值电压偏离情况和分布。随机掺杂；工艺参数偏离；阈值电压；统计分析 TN386 A 2009-11-16 2010-01-10 国家973计划项目 “硅基毫米波亚毫米波集成电路与系统的基础研究”(2010CB327403) (7) (17) @@[1] YUCao,LawrenceTClark.Mappingstatisticalprocessvariationstowardcircuitperformancevariability:ananalyticalmodelingapproach[J]. IEEEtransactiononcomputer-aideddesignofintegratedcircuitsandsystems,2007,26(10):1866-1873. @@[2] TMikolajick,VHaublein,HRyssel.Theeffectofrandomdopantfluctuationsontheminimumchannellengthofshort-channelMOS transistors[J].AppliedphysicsAMaterialScienceandProcessing,1997,64:555-560. @@[3] TomohisaMizuno,Jun-ichiOkamura,AkiraToriumi.Experimentstudyofthresholdvoltagefluctuationduetostatisticalvariationofchannel dopantnumberinMOSFETs[J].IEEETransactiononElectronDevices,1994,41(11):2216-2221. @@[4] AsenAsenov,GabrielaSlavcheva,AndrewR.Brown,etal.Increaseintherandomdopantinducedthresholdfluctuationsandloweringin sub-100nmMOSFETsduetoquantumeffects:a3-Ddensity-gradientsimulationstudy[J].IEEETransactiononElectronDevices,2001, 48(4):722-729. @@[5] AscnAsenov,SubhashSaini.Polysilicongateenhancementoftherandomdopantinducedthresholdvoltagefluctuationsinsub-100nm MOSFETswithultrathingateoxide[J].IEEETransactiononElectronDevices,2000,47(4):805-812. @@[6] GarethRoy,AndrewR.Brown,FikruAdamu-Lema,ScottRoy,AsenAsenov.Simulationstudyofindividualandcombinedsourcesofintrinsic parameterfluctuationsinconventionalNano-MOSFETs[J].IEEETransactiononElectronDevices,2006,53(12)