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3 二极管及其基本电路;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;3 二极管及其基本电路;3.1 半导体的基本知识; 3.1.1 半导体材料;半导体的特性简介; 3.1.2 半导体的共价键结构; 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用; 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用; 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用;空穴的移动;半导体内产生载流子; 3.1.4 杂质半导体; 1. N型半导体;N 型半导体示意图; 2. P型半导体; 2. P型半导体; 3. 杂质对半导体导电性的影响; 本征半导体、杂质半导体;3.2 PN结的形成及特性; 3.2.1 载流子的漂移与扩散; 3.2.2 PN结的形成; 3.2.2 PN结的形成; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:; 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 ;1）空间电荷区的正负离子虽带电，但它们不能移动，不参与导电。因区域内的载流子极少，所以空间电荷区的电阻率很高。 2）内电场对多数载流子的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区--PN结又称为阻挡层或耗尽层。; 3.2.3 PN结的单向导电性;内电场 Ed; 3.2.3 PN结的单向导电性;PN 结变宽;结论：PN结具有单向导电性。; 3.2.3 PN结的单向导电性; 3.2.3 PN结的单向导电性; 3.2.4 PN结的反向击穿; 3.2.4 PN结的反向击穿; 3.2.4 PN结的反向击穿; 3.2.4 PN结的反向击穿; 3.2.5 PN结的电容效应; 3.2.5 PN结的电容效应; 3.2.5 PN结的电容效应; 3.2.5 PN结的电容效应;3.3 二极管;3.3.1 二极管的结构;（c）代表符号 ; 3.3.2 二极管的V-I 特性; 3.3.3 二极管的主要参数;(1) 最大整流电流IF;(2) 反向击穿电压VBR;(3) 反向电流IR;(4) 极间电容Cd（CB、 CD ）;(5) 反向恢复时间TRR;(5) 反向恢复时间TRR;温度对二极管伏安特性曲线的影响;美国半导体器件的型号命名方法;国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：;3.4 二极管的基本电路及其分析方法;瓤捆貉缎难洛鄂情菊驳烬稚诵垢黑惜吨像僧穴哲礼笋拇节阉哆很军块祸滚模拟电子技术0CH03课件模拟电子技术0CH03课件;二极管;例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 ;通过线性部分和非线性部分的交点找到工作点; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法; 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法;2．模型分析法应用举例;① 使用理想模型得;2．模型分析法应用举例;2．模型分析法应用举例;vi = 5sinωtV;2．模型分析法应用举例;例2.4.5 一二极管开关电路如图3.4.10所示。利用二极管理想模型求解：当vI1和vI2为0V或5V时，求vI1和vI2的值不同组合情况下，输出电压vO的值。;vI1;2．模型分析法应用举例; ;得输出电压的交流分量为: ;根据上述结果，绘出输出电压v O的波形如图所示，输出的交流量叠加在直流量上。;3.5 特殊二极管;3.5.1 齐纳二极管;3.5.1 齐纳二极管;3.5.1 齐纳二极管;(1) 稳定电压VZ;(5)稳定电压温度系数——?VZ;3. 稳压电路;稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。;表3.5.1 几种典型的稳压管的主要参数;例3.5.1 稳压电路如图3.5.2所示。设R=180?,VI =10V，RL=1k?，稳压管的VZ = 6.8V，IZT = 10mA，r Z = 20?，IZ(min)=5mA。试分析当VI出现?1V的变化时，VO的变化是多少？ ;分析：;两个回路一个节点，列方程，解出Iz;由此可算出，当VI =10V - 1V= 9V时， IZ = 5.95mA I Z(min) （=5mA) ，能正常工作； ; 例2.5.2 设计一稳压管稳压电路，作为汽车用收音机的供电电源。已知收音机的直流电源为9V，音量最大时需供给的功率为0.5W。汽车上的供电电源在12~13.6V之间波动。要求选用合