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EDTA和KCl双掺杂下KDP溶液 稳定性及晶体生长的实验研究毕业论文 目 录中文摘要 I 英文摘要 III 符号说明 VII 1 绪论 1 1.1 课题的选题及研究意义 1 1.1.1 KDP晶体结构 1 1.1.2 KDP晶体的应用及其研究意义 2 1.2 KDP晶体生长方法及成核诱导期的研究概述 4 1.2.1 KDP晶体的生长方法 4 1.2.2 成核诱导期的研究状况 5 1.3掺杂在KDP晶体生长中的研究现状 6 1.3.1 无机离子掺杂对KDP晶体生长的影响 6 1.3.2 有机添加剂在KDP晶体中的掺杂 7 1.3.3 多种添加剂在KDP晶体中的掺杂 8 1.4 KDP晶体位错的光学显微观察 9 1.5 课题的研究内容 10 2 结晶过程的热动力学原理 12 2.1 初级成核 13 2.1.1 新相形成的驱动力 13 2.1.2 均匀成核 14 2.1.3 非均匀成核 15 2.2 二次成核 16 2.3 成核速率 17 2.4 小结 20 3 双掺杂情况下KDP晶体溶液稳定性分析 21 3.1 双掺杂对KDP溶解度的影响 21 3.1.1 不同双掺杂浓度下KDP的溶解度实验测定 21 3.1.2 实验结果与分析讨论 22 3.2 溶液稳定性的表征 23 3.2.1 溶液的亚稳区宽度 23 3.2.2 溶液的诱导期 25 3.3 双掺杂下KDP溶液稳定性实验研究 25 3.3.1 实验方法 25 3.3.2 实验结果与讨论 26 3.3.3 KDP过饱和溶液成核分析及热动力学参数计算 30 3.4 小结 36 4 不同双掺杂浓度下KDP晶体生长及其动力学研究 37 4.1 晶体生长 37 4.2 实验要点 38 4.3 结果与讨论 39 4.3.1 不同掺杂下KDP(100)晶面生长速度与过饱和度的关系 39 4.3.2 KDP晶体（100）面的生长动力学 40 4.4 小结 43 5 掺杂对KDP晶体位错的影响 44 5.1 腐蚀剂的选择 44 5.2 位错观察 44 5.3 结果与讨论 45 5.4 小结 47 6 结论与展望 48 致 谢 50 参考文献 51 附 录 55 符号说明表 拉丁字母符号—面积，m2—轴方向晶胞高度， m —平均粒子间距， nm b—b轴方向晶胞高度， m c—b轴方向晶胞高度， m —溶液的过饱和浓度，g/m—溶液的饱和浓度，g/m—扩散系数 —碰撞能, J —相变驱动力，J/m3—吉布斯自由能，J —表面自由能变化，J/m2—体积自由能，J/m3—成核自由能，J—临界晶核形成功，J—热焓，J —相变潜热， kJ —二维核的台阶高度，—临界晶核分子数 —成核速率 —玻尔兹曼常数，J/K—临界晶核尺寸 M—摩尔分子量，kg/m—直线斜率 —溶质的吸附分子密度 —亚稳态的饱和蒸汽压力，Pa —汽相的饱和蒸汽压力，Pa —半径，m—临界核子半径，m—晶面法向生长速度，m/s—熵，J /K —过饱和度比 —热力学温度，—理论结晶温度，—过冷度，—台阶切向移动速率 希腊字母符号—台阶上升自由能 —表面熵因子 —台阶动力学系数 —固-液界面张力，J/m2 —台阶棱边能 —化学势， /kg —溶质分子的吸附能 —介质的粘滞系数 —1摩尔分子的体积，m3—密度，kg/m3—相对过饱和度 —溶质原子或分子体积，m3—单个原子的体积，m3—成核诱导期 下标 1—实际值 2—饱和值 1 绪 论 1.1 课题的选题及研究意义 21世纪是一个高新技术发展迅猛的时代，如新材料技术、信息技术、新能源技术等的发展已席卷全球，且也都在广泛应用中。这些技术发展的如何能很好的体现一个国家的综合国力，因此，具备高新技术产业方面的优势是国家发展的重要标志之一。而其中新材料的快速发展正是高新技术产业发展的一个重要方面。国家的十一五规划纲要指出：加快发展高新技术产业强调发展新材料产业，并重点发展特种功能材料等产业群，建立和完善新材料创新体系。使用时侧重于利用其力学性能的材料为结构材料KDP，DKDPADP）材料研究较多，这类晶体材料在惯性约束聚变工程(ICF)和电光开光器件中有广泛的应用，但是，要生长出满足工程使用要求的晶体却不是那么容易。近七十多年来，一些学者就如何优化晶体生长上做了许多研究，也得到了不少成果。因此，基于现有的晶体生长理论基础及相关实验成果上，本课题从掺杂入手研究掺杂对KDP晶体生长溶液稳定性的影响及其生长位错的影响。 1.1.1 KDP晶体结构 在1925-1955年间West等[1，2]用X射线和中子衍射技术研究了不同实验条件下KDP晶体的内部结构，提出了KDP晶体的一些结构参数。KDP晶体在一定温度（123K）以上属于四方晶系，点群为，空间群为。晶胞参数a=b=7.45