(模D)电子技术与应用1-2课件.ppt

PNP 型;内部 条件;O;主要参数 1．电流放大系数 2．极间反向饱和电流： ICBO ； ICEO 3．极限参数 ICM — 集电极最大允许电流，超过时 ? 值 明显降低。 PCM — 集电极最大允许功率损耗 级间击穿电压:U(BR)CBO U(BR)CEOU(BR)EBO; U(BR)CBO 测试电路 U(BR)CEO测试电路;例3：;2　放大电路分析;画直流、交流通路原则 直流通路画法： （1）电容视为开路、电感线圈视为短路； （2）信号源视为短路，保留其内阻。 交流通路画法 （1） 固定不变的电压源都视为短路； 　（2）电容对交流信号视为短路； （3）固定不变的电流源都视为开路。; (a) 基本放大电路;基本分析方法 1．图解法 在输入、输出特性图上画交、直流负载线，求静态工作点“Q”，分析动态问题和波形失真等。 2．解析??? 根据发射结导通压降估算“Q”。 用小信号等效电路法分析计算电路动态参数。 ;直流负载线;三极管的微变等效电路;画放大电路微变等效电路的方法和步骤： （1）画出放大电路的交流通路。 （2）用三极管的微变等效电路代替交流通路中的三极管。 画出基本共射放大电路的微变等效电路, 如图下图所示。; 3　工作点稳定;解决方法 （1）工作环境采用恒温，这种方法显然不可行。 （2）从放大电路本身考虑，使放大电路本身具有稳定工作点的功能。因此引入分压偏置放大电路等。;共集电极放大电路（射极输出器）;(1) 频率响应的一般概念; 共射截止频率fβ：是| |下降至 　　对应的频率。 特征频率fT： | |=1时所对应的频率。 共基截止频率fα： (3) 分析方法 在混合π参数等效电路下分析 低频段考虑电路中的耦合、旁路电容影响；高频段考虑晶体管结电容影响。 以单管基本电路为例;低频段等效电路;（2）低频段 考虑电容C1的容抗1/jωC1，可得电压放大倍数表达式 ;利用戴维南定理将输入回路简化 ;（4）完整特性 ;问题：如果是直接耦合放大电路，其频率特性如何？;例1：;例2：;电路如图所示，晶体管的?＝80，rbb=100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、 、Ri 和Ro ;电路如图所示，晶体管的?＝100，=100Ω。 （1）求电路的Q点、 、Ri和Ro； （2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？;电路如图所示，晶体管的?＝80，rbe=1kΩ。 （1）求出Q点； （2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的 和Ri； （3）求出Ro。;例5：(续);已知放大电路的波特图如图所示，试写出 的表达式。