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一、填空 1．P型半导体中电子浓度_小于_空穴浓度；N型半导体中电子浓度_大于_空穴浓度。（小于、大于） 2．杂质半导体中多子浓度主要取决于_杂质浓度，而少子浓度则与_温度有关。（温度、杂质浓度） 3．PN结外加正向电压时，P区接_高 电位, N区接_低_电位，耗尽层_变窄；此时电流_大。PN结外加反向电压时，P区接_低_电位, N区接_高 电位，耗尽层_变宽_；此时电流_很小_。 （高、低、变宽、变窄、不变、大、小、很大、很小） 5．二极管的最主要特性是_单向导电性_，它的两个主要参数是反映正向特性的_最大整流电流IF_和反映反向特性的__反向电流IR_（填参数名称）。 6．常温下，硅二极管的开启电压（即：死区电压）约_0.5 V，导通电压约_0.7 V；锗二极管的开启电压（即：死区电压）约_0.1_V，导通电压约_0.3_V。 7．双极型三极管中有__2_ 种载流子导电, 是_电流_控制型的器件（电压、电流）；场效应三极管中有__1_种载流子导电, 是____电压__（电压、电流）控制型的器件。 8． 双极型三极管工作在放大状态时，发射结_正向__偏置，集电结__反向_偏置。对于NPN管，此时各引脚电位大小关系是Uc__UB___UE，对于PNP管，此时各引脚电位大小关系是Uc_____UB_____UE。 9．温度升高时，三极管的电流放大系数β变_大__，在相同IB的情况下UBE将变__小__。 10．某个放大电路的电压增益为120dB，相当于电压放大倍数＝ 106 倍，另一个放大电路的电压放大倍数为100，换算为对数电压增益应是 40 dB。已知某放大电路第一级的电压增益为40dB，第二级的电压增益为20dB，总的电压增益为 60 dB。 11．有两个放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大电路Ａ和Ｂ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得Ａ的输出电压小，这说明Ａ的输入电阻小（输入电阻大、输入电阻小、输出电阻大、输出电阻小）。 12．放大电路在负载开路时的输出电压为４Ｖ，接入3kΩ负载电阻后输出电压降为３Ｖ，这说明该放大电路的输出电阻为1kΩ 。 13．有人用电压表测得放大电路的开路输出电压为４.8V，接上24ＫΩ的负载电阻后测出的电压值为４Ｖ，已知电压表的内阻为120ＫΩ，求该放大电路的输出电阻Ｒo和真实的开路输出电压Ｕo。 Ｒo = 6.3KΩ Ｕo = 5 V 14．欲获较高的电压放大倍数且反相输出，应当选用共射_组态放大器；欲获较高的输入电阻，应当选用_共集_组态放大器；欲获较宽的通頻带，应当选用__共基_组态放大器。（选双极型三极管单管放大电路组态名称）。 15．放大器的非线性失真有_饱和_失真和_截止失真，放大器的线性失真有_幅频_失真和 相频_失真。这两类失真中，非线性失真的输出波形顶部或底部被削去一部分，因而与输入波形相比较，产生了新的频率成分，这种失真的原因是：静态工作点设置不当或输入电流Ib过大。而 线性失真则不产生新的频率成分，只是不同频率分量放大倍数不同，这种失真的原因是：放大电路通频带不够。 16．阻容耦合单管共射放大电路的通频带是指 下限 频率fL 和 上限 频率fH之间的频率范围。fL、fH定义为当电压放大倍数的幅值下降为中频电压放大倍数的 0.707 倍时的频率值。与中频段的相频特性相比较，低频段、高频段都产生附加相移，的值当f=fL时为 45° ，当f?fL时为 0° ；当f= fH时为 -45 ，当f?fH时为 -90° 。就电路结构而言，引起低频段放大倍数下降并产生附加相移的原因主要是 耦合电容、旁路电容 _，而引起高频段放大倍数下降并产生附加相移的原因主要是 结电容 __。 17．多级放大电路级间耦合有 直接 耦合、 阻容 耦合和 变压器 耦合三种方式。阻容耦合放大电路各级静态工作点 独立 ，而且前级的Q点漂移不会_ (会,不会)传下去逐级放大，因而总的温漂较小 (小，大)。阻容耦合电路_不能_ (能，不能)放大直流信号。直接耦合电路 能 (能，不能)放大直流信号，它的前级的Q点漂移 会 (会，不会)传下去逐级放大。为了解决温漂问题，集成运算放大器的输入级通常都采用___差分__的电路结构方式。 二、判断题及简答题 2.1测出处于正常放大状态的双极型晶体管各个电极的电位如图。试判断各管的类型（PNP，NPN）、材料（硅管？锗管？）并区分e,b,c三个电极。 NPN硅管 ① e ② b ③ c PNP硅管 ① c ② b ③ e PNP锗管 ① c ② e ③ b 2.2某放大电路中正常工作的双极型三极管两个极的电流如图所示。（1）标出第三个极的电流方向和数值；（2）标示各电极的名称；（3）求出各