原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
纳思达股份有限公司关于相变存储器PCRAM产业化进展的
证券代码：002180 证券简称：纳思达 公告编号：2017-073
纳思达股份有限公司
关于相变存储器PCRAM 产业化进展的公告
本公司及董事会全体成员保证信息披露内容的真实、准确和完整，没有虚假
记载、误导性陈述或重大遗漏。
近日，纳思达股份有限公司（以下简称“公司”）收到全资子公司珠海艾派
克微电子有限公司（以下简称“艾派克微电子”）的通知，艾派克微电子、中国
科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称“中科院上海微系统所”）以及
中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”）在相变储存器
（“PCRAM” ，Phase Change Random Access Memory）产业化获突破性进
展，三方联合研发打印机用基于 PCRAM 耗材芯片，在 130 纳米技术节点取得
了工程应用的突破，并成功批量生产与销售。
这是继国家01 专项 （核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品）中的
国产CPU 成功在艾派克微电子产业化应用后，国家02 专项 （《极大规模集成电
路制造技术及成套工艺》项目）中的重大存储器项目在艾派克微电子的参与下实
现重大技术突破，并在艾派克微电子实现了产业化销售。
PCRAM 的写速度比传统EEPROM 或FLASH 非易失性存储器快1000 倍，
此技术的成功突破，将为公司带来良好的商业机会，并进一步提高公司的核心竞
争力。
特此公告。
纳思达股份有限公司
董 事 会
二〇一七年七月四日
1
文档评论（0）