太阳能级多晶硅的制备资料.pptx

太阳能级多晶硅的制备;目录;太阳能级多晶硅国内现状;太阳能级多晶硅国外现状;太阳能级多晶硅生产工艺;改良西门子法;;冶金法的发展过程; 冶金法利用硅与其中杂质物理或化学性质差异性使两者分离，从而达到提纯的目的。 技术路线主要围绕去除硅中的金属、硼及磷杂质展开。 金属杂质，尤其是复合金属杂质对硅太阳能电池的少子寿命、电子迁移率等都有很大影响 ，硼（Ｂ）、磷 （Ｐ）是太阳能电池的 Ｐ－Ｎ 节的构成元素，含量高会严重影响硅太阳能电池的性能。;1;一、单向凝固原理? 单向凝固的目的是为了使硅锭获得按一定方向生长的柱状晶或单晶组织（柱状晶组织有晶粒粗大、杂质偏聚、性能有明显方向性的特性）。要得到单向凝固组织需要满足以下条件： ??? 首先，在开始凝固的部位形成稳定的凝固壳。凝固壳的形成阻止了该部位的型壁晶粒游离，并为柱状晶提供了生长基础。（该条件可通过各种激冷措施达到。）其次，要确保凝固壳中的晶粒按既定方向通过择优生长而发展成平行排列的柱状晶组织。（该条件可通过严格的单向散热达到。） ;水平区熔法 ??? 水平区熔法主要用于材料的物理提纯，也用来生长单晶体。图为水平区熔法的示意图。这种方法与正常凝固法相比，其优点是减小了坩埚对熔体的污染，降低了加热功率，另外区熔过程可以反复进行，从而提高了晶体的纯度。 过程 水平区熔制备单晶是将材料置于水平舟内，通过加热器加热，首先在舟端放置籽晶，并使其与多晶材料间产生熔区，然后以一定的速度移动熔区，使熔区从一端移至另一端，使多晶材料变为单晶体。;等离子体精炼 等离子熔炼是利用辉光放电产生的等离子体中的活性粒子与高温下Ｓｉ熔体中的Ｂ发生气－固反应，生成易于挥发的Ｂ的氧化物或者氢氧化物，从而有效去除Ｂ杂质的一种方法。 在等离子状态下，向真空炉内通入氧化性气体（Ｈ２，Ｏ２ 混合气体或者 Ｈ２Ｏ），氧化性气氛将提供活性极强的Ｏ原子，可将Ｂ氧化成强挥发 性的气体而被去除。 温度高于大约 １６２３Ｋ时，Ｂ易被氧化为 Ｂ２Ｏ２，Ｂ２Ｏ，ＢＯ 和 ＢＯ２ 气体，利用等离子体氧化精炼，硼浓度可减少到０．１×１０－６［１０］。 ; ＡｌｅｍａｎｙＣ．等在利用电磁搅拌与感应等离子体相结合的方法处理硅液时发现能够有效地将Ｓｉ中的Ｂ去除，通过热力学计算和实验结果分析，证实Ｓｉ中杂质元素Ｂ主要是以ＢＯＨ的形态挥发脱除。 ＳｕｚｕｋｉＫ．等在等离子状态下，向熔融硅中通入Ａｒ＋１．２４％Ｈ２Ｏ混合气体，将Ｓi中的Ｂ从初始含 量 ３５．７×１０－６降低到 ０．４×１０－６，说明氧化精炼去除硅中Ｂ的有效性。同时，分析并说明了Ｂ的去除速率由Ｂ在熔融硅中的扩散过程来控制。ＬｅｅＢ．Ｐ．等利用电磁铸造技术，对比了等离子体氧化精炼下不同气氛条件对除Ｂ的影响，研究结果表明，Ａｒ，Ｈ２ 和 Ｈ２Ｏ 三者的混合气氛的除Ｂ效率更高。 ;电子束熔炼电子束熔炼（ＥＢＭ）是利用能量密度很高的电子束作为熔炼 的热源，在高真空状态（１０－３Ｐａ）下，使高速电子束轰击材料表面，电子束在与材料的碰撞过程中将动能转化为热能，从而实现材料的熔化。由于具有很高的真空度，能够强化所有气态生成物的冶金过程，使熔炼过程中的脱气、分解、挥发和脱氧过程充分进行，从而获得很好的提纯效果。 由于电子束特殊的加热方式，其表面效应明显，整个熔池从表面到内部存在很大的温度梯度，增加了熔池的流动，有助于杂质向表面的扩散，提高提纯效率。 电子束熔炼最初用于高熔点金属的熔炼，如 Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｒ的精炼， ２０世纪末才应用到硅的提纯中，可以有效去除多晶硅中的 Ｐ，Ａｌ，Ｃａ等饱和蒸汽压较大的杂质。将硅中的Ｐ杂质含量去除到０．３５× １０－６以下，同时Ａｌ，Ｃａ 的去除率也达到了９８％，满足太阳能级多晶硅的纯度及使用要求。 ;;谢谢观看