磁电子学(中国计量大学).docxVIP

磁电子学也叫“自旋电子学”，就是将电子的自旋自由度引入微电子学；磁电子学（狭义）磁场（改变）磁矩状态电子（控制）电阻；自旋电子学（广义）电场或光（改变）电荷自旋状态（控制）电流定义：磁电子学是通过磁场操纵电子的另一个属性——自旋的相对取向，借助电子传导与磁性间的关联效应，实现对电子输运特性的调制而开发出各种电子器件的一门新兴的科学技术。电子的两个属性（自旋的平均自由程 ~ 100?）电荷：电子学（用电场来调制带有正或负电荷的载流子系统的导电行为）自旋：磁学（是研究具有交换作用的电子自旋系统的合作磁行为）磁电阻效应 Magnetoresistance，简称 MR即在外加磁场作用下材料电阻率发生变化的现象。反映了材料在磁场中电子输运性质的变化。磁电阻效应的大小通常以外加磁场前后的电阻率的变化率表示，即MR = (ρ(H) ? ρ(0)) /ρ(0) 或 MR = (ρ(H) ? ρ(0))/ ρ(H) ，其中ρ(0)、ρ(H)分别表示磁场为零和磁场为 H 时的电阻率。磁电阻效应的分类正常磁电阻(OMR)机理：载流子在磁场中运动时将受到磁场的洛伦兹力作用，导致载流子的运动方向发生偏转或者呈螺旋线前进，从而增加了载流子的散射截面，所以外加磁场时其电阻增大，表现出正常磁电阻效应。值得提及的是，即使外磁场平行于外电场，载流子仍会受到磁场导致的洛伦兹力，因为载流子的运动主要是沿各个方向的无规运动，沿外电场方向的漂移速度只是它们的平均效应。特点：MR0，即在外磁场下电阻增大；磁电阻值一般很小(1%~2%)；各向异性：MR与磁场H和电流I间的相互取向有关，且通常R(I⊥H)R (I//H)0。各向异性磁电阻效应(AMR)1857年，英国物理学家Thomson在铁磁多晶体中发现。几乎所有的块状金属都具有各向异性的磁电阻效应。通常这种各向异性的磁电阻效应很小AMR值一般小于3%。1971年Hunt提出可以利用铁磁金属的各向异性磁电阻效应来制作磁盘系统的读出磁头，在随后的二十多年里，就是这样一个非常小的磁电阻效应却对计算机磁存储存技术产生了深刻的影响。1985年IBM公司将Hunt的设想付诸实现，并将这样的读出磁头用于IBM3480磁带机上。1990年又将感应式的写入薄膜磁头与坡莫合金制作的磁电阻式读出磁头组合成双元件一体化的磁头,在CoPtCr合金薄膜磁记录介质盘上实现了面密度为1Gb/in2的高密度记录方式。1991年日立公司报道了在3.5英寸硬盘上利用双元件磁头实现了2Gb/in2的高记录密度。所有这些当时都采用坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻效应，室温值仅为2.5%左右。巨磁电阻效应(GMR)1988年, 在法国巴黎大学A. Fert教授领导的研究小组工作的巴西学者Baibich发现Fe/Cr超晶格多薄膜的磁电阻效应比坡莫合金大一个数量级，称为巨磁电阻效应. 金属多层膜：铁磁金属/非磁金属/铁磁金属庞磁电阻效应(CMR)1993年，Helmolt 等人在掺杂的钙钛矿结构稀土锰氧化物La-Ba-Mn-O中观察到。这个结果将巨磁电阻效应的研究由金属、合金样品推至氧化物体系。在La2/3Ca1/3MnO3和Nd0.7Sr0.3MnO3样品中观察到在磁场下样品的巨磁电阻比率分别大于105 %和106 %，称为庞磁电阻效应。La1-xCaxMnO3(x＝0.25)的M-T、ρ-T、MR-T曲线，插图为室温电阻率随着温度的升高，M-T曲线：铁磁-顺磁转变ρ-T曲线：金属性-绝缘体转变两个相转变几乎在相同的温度范围内发生，并且在转变温度附近同时出现磁电阻效应最大值。隧道磁电阻效应(TMR)隧道结：铁磁金属/非磁绝缘体/铁磁金属隧穿电阻随外加磁场大小及方向变化AMR，GMR：能带理论基础上的“自旋相关散射过程”。TMR：能带理论基础上的“自旋相关隧穿过程”。CMR：非能带理论的“强关联跃迁过程”。磁电子学的几个核心物理问题自旋极化、自旋相关散射、自旋积累和弛豫现象自旋极化对于普通的非磁性金属及合金，参与输运过程的费米面附近的自旋向上与自旋向下的电子态密度是相同的（N↑=N↓），没有净的自发磁矩，因此输运过程中电子流是自旋非极化的。对于铁磁过渡金属，由于电子间的交换作用能和动能间的平衡，导致自旋简并的电子能带分裂成非对称的结构，即不同自旋取向的二个子带产生相对位移，这就是所谓的交换劈裂。交换劈裂使自旋向上的子带(多数自旋) 全部或绝大部分被电子占据, 而自旋向下的子带(少数自旋) 仅部分被电子占据。两子带的占据电子总数只差正比于它的磁矩，自发磁化。由于交换劈裂, 费密面处自旋向上和自旋向下 3d 电子的态密度相差很大, 所以在输运过程中铁磁过渡金属的电子流是部分极化的，也叫自旋极化。自旋极化程度用自旋极化率P来表征：其中n↑和n↓分别为自旋向上和自旋向下电子态密度