高电第1章1.ppt

要求接收机输出最小额定信噪比为SNRo,min，则最低的可检测输入功率电平为： 注意：噪声温度不是标准噪声温度T0，而是Te，则该公式为： 在T0=290K室温下 称作基底噪声 (Noise Floor) 最小可检测输入信号电压幅度 * * 当输出端短路后，rb′e、Cb′e和Cb′c三者并联，此时 （一）共射晶体管截止频率f β 是晶体管发射极电流放大系数，其幅值随频率的增高而下降。当下降到β0的 时，对应的频率则为f β (二）特征频率fT 当 |β| 下降到 1 时所对应的频率： |β|值估算： 当工作频率远远高于f β时，则 共基晶体管截止频率fα 共射晶体管截止频率f β 功率增益降至1时的频率 （三）最大振荡频率fmax 模拟乘法器 模拟乘法器是一种理想的线性频谱搬移电路 3、集成电路 1.3 系统性能指标 增益、噪声、非线性、灵敏度和动态范围是描述高频电路最常用的指标 接收机所能接收的最低信号电平直接受到其固有噪声的限制，而它能接收的最高电平又受到非线性失真的限制 1.3.1 增益 电压增益： 无载电压增益 (有载)电压增益 当 时电压增益接近最大值 在高频时，电路阻抗比直流或低频的值小，常用功率增益来量度系统的放大能力 定义几种类型的功率 系统吸收(输入)的功率 源的额定输出功率 负载消耗的功率 系统的额定输出功率 基于上面四种类型的功率，可以定义下面四种功率增益 四种功率增益 转化功率增益 (传递)功率增益 额定(资用)功率增益 最大功率增益 Gp是人们常用的功率增益，也称为工作功率增益，它表示系统实际输出功率与输入功率之比 分析和计算噪声问题时，用额定功率和额定功率增益 用对数形式dB(分贝)值来表示比值 功率增益的dB值定义 电压增益的dB值定义 dBm(分贝毫瓦)定义：P(dBm)= 10lg[P(mW)/1mW] dBW(分贝瓦)定义：P(dBW)= 10lg[P(W)/1W] dBmV(分贝微伏)定义：U(dBmV)= 20lg[U(mV) /1mV] dBV(分贝伏)定义：U(dBV)= 20lg [U(V) /1V] 注意：两个dBm(dBmV)相减，结果为dB。dBm(dBmV)与dB之间可以加、减，结果仍为dBm(dBmV) 在50Ω系统中，功率与电压单位对应关系 P 1W 10mW 1mW 0.1mW 10?11mW 0dBW,30dBm 10dBm 0dBm ?10dBm ?110dBm Um 10V 1.0V 0.316V 0.1V 1mV 20dBV 0dBV,120dBmV -10dBV,110dBmV 100dBmV 0dBmV 定义：放大电路或电子设备的输出端与有用信号同时存在的一种随机变化的的电流或电压，没有有用信号是时它也存在。 噪声与干扰区别： 干扰：带有一定的脉冲性和周期性 噪声：具有随机性 1.3.2 噪声和噪声系数 1．噪声来源：电阻热噪声和半导体管噪声 放大电路的内部噪声主要来源于包括电阻热噪声和放大器件的噪声。 一、放大电路内部噪声的来源和特点 （一）电阻的热噪声 特点： 无外加电压时，自由电子的无规则运动； 值小，持续时间短，正负值的概率相同； 某一瞬间的电压是随机的； 噪声电压un(t)是随机变化的，无法确切地写出它的数学表达式。 而大量的实践和理论分析已经找出它们的规律性，可以用概率特性和功率谱密度来描述。例如，电阻热噪声电压un(t)具有很宽的频谱，它从零开始连续不断，而且各个频率分量是相等的如下图所示： 噪声电压功率频谱密度 其中，k是波尔兹曼常数，其值为1.38×10-23J/K；T是电阻温度，以绝对温度计算。 噪声电流功率频谱密度 频带宽为BW内产生的热噪声均方值电流和均方值电压为： ?电阻的热噪声可以用一个噪声电压源和一个无噪声的串联电阻 R等效,也可以用一个噪声电流源和一个无噪声的电阻R并联等效。 电抗元件，理想的则其没有噪声； 实际电感的损耗不可忽略； 实际电容的损耗可以忽略； 电阻R的噪声额定功率 电阻的噪声额定功率只与温度及通频带有关，而与本身阻值和负载无关(注意，实际功率是与负载有关的)。 这一结论可以推广到任何无源二端网络。 ?(二)晶体三极管的噪声 ?晶体三极管的噪声主要有四个来源。 1.热噪声 晶体三极管的热噪声主要是基区电阻rbb’产生的热噪声。用噪声电压功率谱密度表示为 ?2.散粒噪声 由于少数载流子由发射极通过PN结注入基区时,在单位时间内注人的载流子数不同,是随机起伏的。这种起伏会影响到集电极电流的起伏,由此引起的噪声叫散粒噪声 3.分配噪声????晶体管发射区注入到基区的少数载流子中,一部分经过基极区到达集电极形成集电极电流,