.第四章 半导体载流子的统计分布2.pptVIP

解题思路： 1. , Z(E)=πR2×2V； 2. 1eV=1.6×10-19J, k0=1.38×10-23J/K 3. 室温时掺P的n型Si：T= 300 K, Nc=2.8×1019cm-3，△ED=0.044eV，代入D-表达式，可得P全部电离的浓度上限是ND= 3×1017 cm-3； P全部电离的浓度下限：硅本征载流子浓度为1.5×1010cm-3，则磷的浓度至少比它大一个数量级，为1011cm-3。 因此磷在室温全部电离的条件是：掺杂浓度1011 ~ 3×1017cm-3。 另外由D-的表达式还可确定杂质全部电离时的温度： 利用该关系式，对不同的△ED和ND，可以决定杂质基本全部电离所需的温度T。 ⑷ 过渡区 半导体处于全电离的饱和区与完全本征激发之间的区域称之为过渡区。 特点：施主全电离，电离浓度为ND。导带中的的电子一部分来源于全部电离的杂质，另一部分则有本征激发提供，则电中性条件：n0= ND+p0。 本征条件下：ni= n0=p0，EF=Ei： 同理可得价带空穴浓度： 由非本征情况下电中性条件：n0= ND+p0。将n0和p0的关系方程代入，得到： 过渡区的载流子浓度 利用n0和p0的联立方程求解n0和p0： 解得： 载流子浓度的讨论 过渡区载流子浓度根据本征激发的强度分为两种情况计算： ? 当NDni时，4 ni2/ ND21，利用近似关系得到： 根据条件NDni可以看出，电子的浓度比空穴浓度大得多，此时半导体在过渡区接近饱和区。 T=300K时, Si的ni=1.5×1010cm-3, 若ND=1016cm-3,则p0=2.25×104cm-3, n0=1016cm-3。浓度高的电子被称为多数载流子，空穴被称为少数载流子。少数载流子虽然数量很少，但其在半导体器件工作中起着极其重要的作用。 ? 当NDni时，ND2/4ni21： 此时本征激发的电子浓度大于杂质的浓度，过渡区更接近于本征激发。 ⑸ 高温本征激发区 T很高，n0ND，p0ND。电中性条件是：n0=p0 这种情况与未掺杂的本征半导体情形一样，因此 称为杂质半导体进入本征激发区。价带电子大量电离，浓度超过施主浓度，即：niND/2。 本征激发温度的高低与掺杂施主浓度的含量有关。当掺杂浓度较低时，本征激发的作用温度较低。 例如：Si中ND1010cm-3时，室温下本征激发起作用。若ND=1016cm-3时，800 K时本征激发起作用。 n 弱电离区 中间电离区 饱和区 过渡区 本征区 T(K) 3. p型半导体的载流子浓度 与n型半导体完全类似，只含有一种受主杂质的p型半导体，可以得到一系列公式如下： 低温弱电离区 强电离饱和区 过渡区 n型半导体中的空穴 p型半导体中的电子 少数载流子 (少子) p型半导体中的空穴 n型半导体中的电子 多数载流子 (多子) 4.少数载流子浓度 在强电离下其温度关系式是： n型半导体:多子nn0=ND, 少子 p型半导体:多子pn0=NA, 少子 本征半导体的导电能力主要由温度决定；杂质半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 室温时纯净 Si中电子浓度为1.0×1010 cm-3，掺入杂质Ⅴ族元素 P原子的浓度(施主浓度)为1015cm-3，则Si中的电子浓度就增大为1015cm-3 。 解： Eg mn* mp* 1.17eV 1.08m0 0.59m0 0K时Si的基本参数 (P200、208)： 例：施主浓度为的1013cm-3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度，多子浓度，少子浓度和费米能级的位置。 解法1： (1) mn*=1.08m0，mp* =0.59m0 300K时：Eg mn* mp* Nc(cm-3) Nv(cm-3) Si 1.12eV 1.08m0 0.59m0 2.8×1019 1.1×1019 解法2： 400K时杂质已全部电离，处于过渡区（本征载流子浓度未超过施主浓度，且一般T在100~500 K之间杂质全部电离，T500K时，本征激发起主要作用） ⑵ ⑶ 基于上面公式，可以得出结论：EF增大，Ec-EF越小，n0越大；EF-Ev越大，p0越小，但两者乘积不变。也即二者乘积与EF无关，只取决于禁带宽度Eg和温度，且与掺杂亦无关。 适用于所有热平衡状态下的非简并半