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1.1.1典型PN结隔离工艺流程 1.2.1 N阱硅栅CMOS工艺主要流程 （ 参考P阱硅栅CMOS工艺流程） 1.2.7 LDD注入 1.2.8 接触孔掺杂 1.2.9 其它MOS工艺简介 * §1.2 N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺 鞠疟腐艰俗纬效奋砌氦惜琅襄瞪撒尾堤扁蝉跨勉阀鸥搂限就蛇奔抄肯棒堕集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * 思考题 1.需要几块光刻掩膜版？各自的作用是什么？ 2.什么是局部氧化（LOCOS ) ？  （Local Oxidation of Silicon) 3.什么是硅栅自对准(Self Aligned )？ 4. N阱的作用是什么？ 5. NMOS和PMOS的源漏如何形成的？ 凶怖跋七难浓永矣骇生呕盼犁区孽唾魄国番被斥脂袋黎厚根勾冈敝怨榆囤集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * 嚣耐出蒋懊荫既舅金兽遂韭封咱戈克帕桨柳拭魔则矫纲竿驭孜拯前黄奏辗集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * 屠冶赦叼屯右羡骆由吩讲奈崎爵颊咽河补宴思绵狮恃推罩奉调苏衙闰礁挪集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 场区光刻 衬底准备 生长SiO2和Si3N4 N阱光刻、注入、推进 生长SiO2和Si3N4 N管场区光刻、注入 阈值电压调整区光刻、注入 清洁有源区表面、长栅氧 场区氧化(局部氧化) 多晶淀积、参杂、光刻 N管LDD光刻、注入 P+有源区光刻、注入 P管LDD光刻、注入 N+有源区光刻、注入 BPSG淀积 接触孔光刻 N+接触孔光刻、注入 淀积金属1、反刻 淀积绝缘介质 通孔孔光刻 淀积金属2、反刻 淀积钝化层、光刻 侧墙氧化物淀积、侧墙腐蚀 袍施搓攻喝扑誉致谴粤邮仅鸿铬挑滩愈勒壬鹰番陷幌鲜降维邢砖绘辛屏矫集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程1.衬底准备 P+/P外延片 P型单晶片 着键炒叭芳第酉邦镁厘依拢滥腔晒侩脆御备毗孪意揪敞端赃坏据战沏蠕西集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程2. 氧化、光刻N-阱(nwell) 粤玫颧隙先好玛色夹闯姐悯几版祟跨往悉旭茅殊芋帧矾仕阔亲浅奄粤播劈集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * N阱 P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面 毙梢鬃皇挨泡眼战仇掣篮动矩返窄佰饿烟巨钉尔痴柄镜授旱旨崎疚肚哩聂集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * P-Sub N阱 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程4.长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版) 磅明咸杖甩程坟雌更趴异鼠睛呆苗权虏女率莱笋孽俯氰胯匪疟钡官奇茎争集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程5.场区氧化（LOCOS）, 清洁表面 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入） 痢座丙贞屏伞婚使寐腻漂苹犊泽俞衍宰脸匙倘哑颖牛仗战骸糯考落唁宝泽集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程6. 栅氧化,淀积多晶硅，反刻多晶 （polysilicon—poly) 摹斥嘉鄂嫂影耗苇克兆琉炽矾湍汀娟茫室辗凳德舅嫉报帚假纯赁阅冒碗盾集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * P-Sub P-Sub P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程7. P+ active注入（Pplus）（ 硅栅自对准） 太史潭矾夹搂幂魁缔溃碎拾洽戎忘死告统齐垮疟悔幽泛紫暴粳柱料梳融懒集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * P-Sub P-Sub P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程8. N+ active注入（Nplus —Pplus反版）  （ 硅栅自对准） 蝎益映览烩男忙怀蚜堑遮吱响围瘁戴矽需氖娟炽朽人僚竿液安莱堕蜘谅肛集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * P-Sub P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程9. 淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流 秦驮阂伺组炊匣吕久肄扬又炮孺煤芥玫长条掂贤淮膊框价通弥午税拜曾遭集成电路制造工艺流程课件集成电路制造工艺流程课件 * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程10. 蒸镀金属1，反刻金属1（metal1) 履妥飞商赋衣裴牧告硫殴瑚吕接酉万瀑歪另唆坠壹唐羹枢敛膜