集成电路导论 lesson3.pptVIP

4.3 CMOS集成电路加工过程 * * 硅片制备→前部工序 掩膜1： P阱光刻 * * 具体步骤如下： 1．生长二氧化硅： 掩膜1： P阱光刻 * * 2．P阱光刻：涂胶、掩膜对准、曝光、显影、刻蚀 3．去胶 4．掺杂：掺入B元素 掩膜2 ： 光刻有源区 * * 淀积氮化硅 光刻有源区 场区氧化 去除有源区氮化硅及二氧化硅 生长栅氧 淀积多晶硅 掩膜2 ： 光刻有源区 * * 掩膜3 ：光刻多晶硅 * * 掩膜4 ：P+区光刻 * 1、P+区光刻 2、离子注入B+，栅区有多晶硅做掩蔽，称为硅栅自对准工艺。 3、去胶 掩膜5 ： N+区光刻 * * 1、N+区光刻 2、离子注入P+ 3、去胶 掩膜6 ：光刻接触孔 * * 掩膜7 ：光刻铝引线 * * 1、淀积铝 2、光刻铝 掩膜8 ：刻钝化孔 * * 后部封装 （在另外厂房） * * （1）背面减薄 （2）切片 （3）粘片 （4）压焊：金丝球焊 （5）切筋 （6）整形 （7）所封 （8）沾锡：保证管脚的电学接触 （9）老化 （10）成测 （11）打印、包装 压焊封装 * * 4.4 缺陷与成品率 第4章 集成电路芯片制造技术 4.4 缺陷与成品率 工艺制造中的缺陷有两类： 一类是由于工艺参数偏离规定的上限值或下限值，或者由于光刻时的套刻误差超过规定值，这会使整个晶圆片报废； 另一类是局部的