材料物理2010第3章10-6-巨磁阻效应和磁电子学.ppt

* * * * * * Mn与氧的相互作用，导致退兼并。 强相互作用导致 * * 材料物理 上海大学 10.6 巨磁电阻效应和磁电子学 磁电阻：材料的电阻R随外磁场H发生变化的现象 磁电阻发展历史： 正常磁电阻(OMR)普遍存在与所有的金属和半导体中，源于磁场对电子的洛仑兹力； △R/R(0)0，且各向异性ρ⊥ρ// 0 ，低磁场下△R/R(0)很小，无饱和。 20世纪70年代，OMR和AMR均用于传感器 90年代，AMR开始用于硬磁盘读出头 1857年，凯尔文首先发现了铁的磁电阻，称为各向异性磁电阻 AMR，源于磁畴中电阻率的各向异性； 沿磁场方向磁电阻比△R/R(0)0，而垂直于磁场方向0，可在低磁场下饱和，饱和值1%~5%。 磁电阻发展历史续： △R/R(0)为负值，绝对值比AMR高1~2个数量级。 GMR效应引起科学与技术界的广泛重视。研究及应用开始迅速发展 。2007年Nobel物理奖!! 1988年， 在金属Fe/Cr多层膜中发现了巨磁电阻效应GMR; 尔后: 铁磁颗粒与非铁磁金属组成的不均匀合金中也观察到GMR； 近年: 两种新的巨大磁电阻效应得到发展： (1)铁磁/绝缘体/铁磁结构的隧道结巨磁电阻TMR； (2)钙钛矿型锰氧化物系统中的庞磁电阻CMR. for the discovery of giant magnetoresistance. Independently in 1988, led to a dramatic rise in the amount of data that can be stored on computer hard-disk drives. 感应式薄膜磁头读出硬磁盘上存储的微弱信息。从物理上看，该磁头是在测量微小磁单元的磁通变化量。为达到必要灵敏度，硬盘必须快速旋转，磁头在磁盘上只好“走马观花”了。 使用GMR作读出磁头后，它测量的是磁通量，而不是变化量，并不要求磁盘高速旋转，读出信息的分辨率就大大提高了。 多层膜结构的磁化过程还压制了噪声，从而将磁头的信噪比大幅度提高。目前，一种自旋阀型多层膜GMR磁头的灵敏度高达每微米0.6至1.0毫伏。达到每平方英寸100亿位至200亿位密度。 Nobel prize recognizes GMR pioneers 10.6.2　自旋相关导电 传统导电机制: 电子或离子的电荷转移及其散射, 与电子自旋无关 自旋相关导电：导电依赖于载流子自旋的方向。不同材料具有不同的自旋相关导电机制。 (1)双电流模型 正常金属电阻率: 散射的弛豫时间: 正常金属和半导体中各参量与电子自旋无关，因而电阻率与自旋无关。 TC以下，由于交换作用发生自发磁化，s和d电子不同自旋的次能带发生分裂 导电公式为： ?代表自旋↑和↓，相应于与MS方向相同或相反。 对大块铁磁金属，传导电子因碰撞而不断改变自旋方向。自旋扩散长度约为百纳米量级，平均自由程约几十纳米。 对纳米尺度的铁磁体，可由双电流模型解释，总电阻为： 3d族铁磁金属: FM/NM/FM三层膜示意图,电流与膜面平行. (2)自旋相关散射与GMR 若N↓ (EF) N↑ (EF)，则?↓的传导电子受到散射大， ?↓ ?↑,ρ ↓ ρ ↑。 当相邻铁磁层的MS反平行时: ?↓和? ↑的传导电子 在Ms与其自旋平行的铁磁层界面受到小的散射; 在MS与其自旋反平行的FM/NM界面受到较大的散射，总电阻较高； 当两铁磁层的MS平行时，只通过自旋与MS平行的电子，呈低电阻态。 定性解释巨磁电阻效应： （A）按量子力学，电子分为两类，一类自旋平行于局域（某一磁层中）磁化强度，另一类自旋反平行于局域磁化强度。 （B）自旋与磁矩反平行的电子受到的散射非常强，自旋反平行有很短的平均自由程，其电阻很大；相反，自旋平行电子有长的平均自由程和低的有效电阻． （C）无论是在界面还是层内，只要有不同的自旋散射，就有巨磁电阻效应存在．大量的研究表明，至少在大△R／R的系统中,表面散射占统治地位． Multilayer Fe Cr (3)多层膜与自旋阀 在多种多层膜中观察到GMR 层间反铁磁耦合时可观察到GMR，ΔR/R大 铁磁耦合时无GMR 处于反铁磁耦合，饱和磁场HS高。 非磁金属层厚变化 铁磁与反铁磁 耦合振荡 为降低HS，最常用的方法是适当增厚NM层，使层间耦合接近于0 典型的非耦合的基本结构为： FM1/NM/FM2/AFM。 非磁层 约2.3nm 自由层 该结构即为自旋阀, 实用器件单元结构 在很低的磁场下可使FM1与FM2平行或反平行，从而得到足够大的△R/R和磁场灵敏度△R/R/HS。 反铁磁层通过界面的交换耦合使相邻FM层的