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第二章 半导体器件基础 晶体三极管的结构与符号 晶体三极管的工作状态 晶体三极管的电流分配及放大原理 晶体三极管特性曲线 晶体管的三个工作区域 晶体三极管主要参数 晶体三极管主要参数 本章小结 半导体中有两种载流子：电子与空穴。P型半导体中，空穴是多数载流子,电子是少数载流子; N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。PN结是构成各种半导体器件的基础。它具有单向导电特性。 二极管由一个PN结构成，其伏安特性就是PN结内部特性的外部表现。导通电压为0.7 V；锗二极管的导通电压为0.2 V 。二极管导通时，呈低阻状态，二极管截止时呈高阻状态。 晶体三极管是一种电流控制型器件，具有电流放大作用，共发射极电流放大系数为β, 晶体管工作在放大状态时，发射结加正向偏压，集电结加反向偏压(对于NPN管，UC＞UB＞UE，对于PNP管，UC＜UB＜UE)，其三个电极电流有如下关系： 2.3 晶体三极管 2.3.1 晶体三极管的结构与符号 2.3.2 晶体管电流分配及放大作用 2.3.3 晶体三极管特性曲线 2.3.4 晶体管的主要参数 三极管存在：两结三区三极 发射区(E区)：发送载流子 基区(B区)：传输载流子 集电区(C区)：收集载流子 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 三极管四种状态 放大状态 反向放大状态 集电结 运用状态 发射结 正向运用 反向运用 正向运用 饱和状态 反向运用 截止状态 有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出， 这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 三种组态 三极管放大应满足两方面条件： 外部条件：发射结正偏 集电结反偏 内部条件：薄基区 发射区重掺杂基区轻掺杂 1. 载流子传输过程 1. 载流子传输过程（以NPN管为例） 发射区向基区注入电子( IEn ) ： 发射极电流IE ? IEn 注入电子在基区边扩散边复合( IBn ) ： 是基极电流IB 的一部分 集电区收集扩散来的电子 ( Icn ) ： Icn构成集电极电流 IC 的主要成份 集电结两边少子定向漂移( ICBO ) ： ICBO对放大无贡献应设法减小 1. 载流子传输过程（以NPN管为例） 晶体三极管又称为双极型晶体管 电流分配关系图 2. 电流分配关系 定义 2. 电流分配关系 共基极直流电流放大系数 共发射极直流电流放大系数 指uCE为参变量，iB随uBE变化的关系曲线 特点： uCE =0V时，特性曲线类似二极管V-A特性 uCE 0V时，特性曲线右移直至uCE ?1V时曲线基本重合 1. 共射接法输入特性曲线 什么是理想晶体管？什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 2. 共射接法输出特性曲线 指iB为参变量，iC随uCE变化的关系曲线 曲线分为三区：截止区 饱和区 放大区 2. 共射接法输出特性曲线 截止区： 对应截止状态:E结C结反偏 特点：iE =0 iC =0 曲线分为三区：截止区 饱和区 放大区 2. 共射接法输出特性曲线 饱和状态: E结正偏 UCE 很小 特点： 饱和现象：固定uCE ,iC基本不随iB变化 uCE控制iC ：固定iB,iC随uCE剧烈变化 曲线分为三区：截止区 饱和区 放大区 2. 共射接法输出特性曲线 放大区： 对应放大状态: E结正偏C结反偏 特点： 放大效应 ----? 定义 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 ≤ uBE ＜βiB ≥ Uon 饱和 ≥ uBE βiB ≥