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第二章 逻辑门电路;内容概述;;二、动态特性;Ton=td+tr 接通时间;2.1.2 晶体三极管的开关特性;;截止区;晶体管饱和后，集－射极间电压VCES很小，硅管不足0.3V，锗管仅为0.1V，因VCESEC ，故 Ics=(EC-VCES)/RC≈EC/RC,，对应基极电流iBS=ICS/?≈EC/?RC（临界饱和电流）因此，为使晶体管可靠饱和 iBiBS=EC/?RC 。 一般， iB ≥NiBS=NEC/ ?RC (饱和电流，N=2~3);三极管分区等效电路;;二、动态开关特性;定义：ic增加到0.1ICS时的时间为td;t2时刻, VI↓?-V2但T不能立即回到截止状态，需经存储时间ts和下降时间tf后，才能回到截止状态。;定义：ic从0.9ICS下降到0.1ICS时的时间为tf;三、晶体三极管反相器;当VI=ViH时，假定T可靠饱和，其等效电路如图2.8(b)所示 ; ; 2 三极管反相器的负载特性;当V0下降，负载载电流变为IRC=IL时Iq=0, 限幅电路失去箝位作用。定义VOH下降到0.9VOH时，所允许的负载电流为反相器的拉电流能力， 即 IL＝(EC-0.9(Eq+VDq))/RC ;;;;;2.1.3 MOS场效应管的开关特性;饱和区：VGS VT且VDS VGS-VT; 0 VGSVT iD= K[2(VGS-VT)VDS-V2DS ] (VGS≥VT且VDS≤VGS-VT) K(VGS-VT)2 (VGS≥VT且VDSVGS-VT) ;饱和区互导定义为:;反相器的传输延迟时间tpd;2－2 分立元件门电路;A; 正 逻 辑;2.2.2、电阻－晶体管逻辑门（RTL）;2.2.3 二极管－晶体管逻辑门（DTL);2－3 TTL集成逻辑门电路;2.3.1、TTL与非门;当A＝B＝C＝3.6V时，T1的发射极电压高于集电极电压，处于倒置工作状态。T2因有足够基极电流而饱和，VOL≤0.3V;当A、B、C之一由高电平变为低电平瞬间，仍有Vb2＝0.7v，而T1饱和Ic1很大，此电流是T2的反向基极电流，很快拉走基区的存储电荷，使T2迅速脱离饱和经过放大区而迅速截止，从而大大缩短了传输延迟时间。;二、TTL与非门电路工作原理;1. 当A=B=C=3.6V时（高电平），T1、T2、T5因正偏而导通，Vb1为;Vbes5=0.7v，Rb=300Ω,RC=200Ω，容易满足ic6≤βib6故T6饱和。;由于T2管饱和，其集-射压降 ，T2管的集电极电压 则集电极电流： 又由于 故 ; T3管发射极电流， 故T3处于微导通状态。Vb4=0.3VVTE4, 故T4管处于截止状态。;2.输入有一个或几个为低电平;图2-17（b）给出了C端输入为0.4V，其他输入端为高电位3.6V, ;因此，输出高电平为：;表２－３ TTL输出低电平和高电平时各管工作状态;T3、T4和T5管构成的输出电路叫做图腾柱式输出（Totem Pole Output)。; 电路在输出为高电平时，T5管截止，T3 ,T4为复合管组成射极跟随器，构成有源上拉电路，其输出阻抗ROH很低，有较强的驱动能力，可提供5mA以上的输出电流；当输出为低电平时，T4管截止，T5管饱和，构成有源下拉电路，其输出阻抗ROL小于100 ，有较强的驱动能力，可以从输出端灌入14mA电流。;输出端与地短路，Vc2=5v (高电压)，造成T3, T4电流过大而损坏。(T5截止);图2.18 TTL门输出不能并联;Ｔ６网络的作用： 减小时延tpd 。 输入由低到高：ie2绝大部分流入T5基极，使其很快导通，缩短了开启时间ton。 输入由高到低：由于T5是浅饱和，且Vbe5瞬时仍处于Vbe5=0.7V，为T6提供电源，可以泄放基区电荷，缩短关闭时间toff。 ; 2. 提高抗干扰能力。早期的TTL电路在输入低电平时，VIL=0.4V，只要有0.2V干扰就会使T2导通，产生误触发，即 Vb2=0.4+0.2+Vce1=0.4+0.2+0.1=0.7(V) ;而现在， ，提高了抗干扰能力。 ;; 干扰容限;干扰容限 在高端;2. 输入特