《集成电路制造技术》单晶硅特性.ppt

集成电路制造技术 原理与工艺 第1单元 硅 衬 底 绪 论 锗、硅、砷化镓是微电子产品中使用最多的半导体材料，锗使用最早，目前只有少量分立器件使用外。砷化镓是用的最多的化合物半导体材料，主要作为高速集成电路的衬底材料。硅是应用最广泛的半导体材料，无论在大功率器件还是各种集成电路都普遍使用硅作为衬底材料，对硅的研究最为深入，工艺也最为成熟。 这一单元，首先介绍硅材料的性质、结构特点，说明硅为何成为应用最多的衬底材料，包括硅单晶的制备、硅片的加工及检测，最后介绍气相外延工艺的原理和方法。 第1章 单晶硅特性 1.1 硅晶体结构的特点 1.2 硅晶体缺陷 1.3 硅中杂质 1.4 杂质在硅晶体中的溶解度 1.5 硅单晶的制备 1.1 硅晶体的结构特点 硅是一种元素半导体，位于周期表中的IVA族，有四个价电子，其数目正好位于优质导体(1个价电子)和绝缘体(8个价电子)的中间。自然界找不到纯硅，必须经过提炼和提纯使其成为纯硅。 硅、锗、砷化镓电学特性比较 硅作为半导体材料的优点 硅的丰裕度（原料充分）； 硅晶体表面易于生长稳定的氧化层，这对于保护硅器件表面或电路的结构、性质都很重要； 重量轻，密度只有2.33g/cm3； 更高的溶化温度允许更宽的工艺容限（热学特性好，热膨胀系数小，2.5*10-6/℃ ，热导率高，1.50W/cm·℃；） 更宽的工作温度范围 单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好； 机械性能良好。 单晶硅的晶体结构 非晶材料的原子结构 1.1.2 硅晶胞 1.1.3 硅晶向、晶面和堆积模型 硅晶面 晶体中所有原子可看作处于彼此平行的平面系上，这种平面系叫晶面。用晶面指数(h1h2h3，又称密勒指数）标记。如（100）晶面，等价晶面表示为{100} [100]晶向和(100)晶面是垂直的。 硅晶面 硅晶体为双层立方密积结构 硅单晶由两套面心立方结构套构而成，有双层密排面AA′BB′CC′ 双层密排面：原子距离最近，结合最为牢固，能量最低，腐蚀困难，容易暴露在表面，在晶体生长中有表面成为{111}晶面的趋势。 两层双层密排面之间：原子距离最远，结合脆弱，晶格缺陷容易在这里形成和扩展，在外力作用下，很容易沿着{111}晶面劈裂，这种易劈裂的晶面称为晶体的解理面。 面心立方晶格 [111]晶向是立方密积， (111)面是密排面 解理面 （111）面为解理面，即为天然易破裂面。实际上由硅片破裂形状也能判断出硅面的晶向。 （100）面与（111）面相交成矩形，（100）面硅片破裂时裂纹是呈矩形的； （111）面和其它（111）面相交呈三角形，因此（111）面硅片破裂时裂纹也是呈三角形，呈60°角。 硅晶体不同晶面、晶向性质有所差异，因此，微电子工艺是基于不同产品特性，采用不同晶面的硅片作为衬底材料。 双极常用(111)，MOS常用(100)。 1.2 硅晶体缺陷 为了很好地实现先进的IC功能，半导体要求近乎完美的晶体结构。晶体缺陷（也称微缺陷）就是在重复排列的晶胞结构中出现的任何中断或杂质的引入。在单晶硅的生长或加工过程中都可能产生缺陷。然而，现代工艺已经可以生产缺陷密度非常低，甚至没有缺陷的硅单晶锭。 缺陷密度是在每平方厘米硅片上产生的缺陷数目。在硅中普遍存在三种缺陷形式： 零维---点缺陷 一维---线缺陷 二、三维---面缺陷和体缺陷 1.2.1 点缺陷 本征 空位 A，A+ 间（填）隙原子B ※弗伦克尔缺陷 杂质 替位杂质C 填隙杂质D 杂质缺陷是非本征点缺陷，是指硅晶体中的外来原子。 杂质中，填隙杂质在微电子工艺中是应尽量避免的，这些杂质破坏了晶格的完整性，引起点阵的畸变，但对半导体晶体的电学性质影响不大；而替位杂质通常是在微电子工艺中有意掺入的杂质。例如，硅晶体中掺入ⅢA、ⅤA族替位杂质，目的是调节硅晶体的电导率；掺入贵金属(Au等)的目的是在硅晶体中添加载流子复合中心，缩短载流子寿命。 1.2.2 线缺陷 线缺陷最常见的就是位错。位错附近，原子排列偏离了严格的周期性，相对位置发生了错乱。 位错可看成由滑移形成，滑移后两部分晶体重新吻合。在交界处形成位错。用滑移矢量表征滑移量大小和方向。 刃位错和螺位错 位错主要有刃位错和螺位错：位错线与滑移矢量垂直称刃位错；位错线与滑移矢量平行，称为螺位错。 硅晶体的双层密排面间原于价键密度最小，结合最弱，滑移常沿{111}面发生，位错线也就常在{111}晶面之间。该面称为滑移面。 1.2.3 面缺陷和体缺陷 面缺陷主要是由于原子堆积排列次序发生错乱，称为堆垛层错，简称层错。 体缺陷是杂质在晶体中沉积形成；晶体中的空隙也是一种体缺陷。 缺陷的产生及结团 缺陷是存在应