电力电子技术chapter2-2.ppt

* * * * * * * * * * * * 第1章电力电子器件 * 第1章电力电子器件 2.3 半控器件 -- 晶闸管 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 2.3.2 晶闸管的基本特性 2.3.3 晶闸管的主要参数 2.3.4 晶闸管的派生器件 * 第1章电力电子器件 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的 场合具有重要地位。 晶闸管（Thyristor）：也称为晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier -- SCR） 引 言 * 第1章电力电子器件 图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个联接端。 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 阴级 阳级 门级 1. 常用晶闸管的结构 * 第1章电力电子器件 螺栓型晶闸管 晶闸管模块 平板型晶闸管外形及结构 * 第1章电力电子器件 散热器 * 第1章电力电子器件 2. 晶闸管的工作原理 若IG=0, 则不论A、K间 加正向电压还是反向电 压，总有至少一个PN结 截止，故晶闸管截止— 双向阻断 承受反向电压时，不论 门极是否有触发电流， 晶闸管都不会导通。 + - + - AK间加正向电压:J2反偏 AK间加反向电压:J1、J3反偏 --正向阻断 --反向阻断 + - uAK iA * 第1章电力电子器件 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 （1）A、K 间加正向电压； （2）外电路向门极注入电 流 IG ； 则 V1、V2 将形成强烈电流正 反馈，使晶闸管饱和导通。 导通后：流过IA，UAK=1V 过程如下： IG ? ?Ib2? ?IC2? ? IC1 ? ?Ib2? ? 电流正反馈 导通后门极失去作用 + - IG IA 晶闸管的导通： uAK0 iG0 * 第1章电力电子器件 承受反向电压 uAK0时，不论门极是否有触发 电流，晶闸管都不会导通。iA ≈ 0 承受正向电压uAK0时，仅在门极有正向触发电流的情 况下晶闸管才能开通， iA 由外电路决定。导通后UAK=1V。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，可撤掉。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 iA≈0 --可断开阳极或在阴极阳极间加反压。 晶闸管正常工作时的特性总结如下： 双向阻断、导通可控,关断不可控 – 半控元件 UAK * 第1章电力电子器件 其他几种可能导通的情况： (1) 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应. (2) 阳极电压上升率 du/dt 过高 . (3) 结温较高 . (4) 光触发 -- 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管 --Light Triggered Thyristor -- LTT）。 只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。 应避免 * 第1章电力电子器件 2.3.2 晶闸管的基本特性 静态特性 动态特性 晶闸管的基本特性分为： -- 是指晶闸管的伏安特性。反映晶闸管双向 阻断、正向导通可控、关断不可控的特性。 -- 是指晶闸管开通和关断时电压、电流随时 间变化的过程。 * 第1章电力电子器件 IG = 0 时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。-断态 正向电压超过正向转折电压Ubo， 则漏电流急剧增大，器件开通。 --误导通，应避免 + U A 晶闸管的伏安特性 IG2 IG1 IG （1）正向特性 正向 导通 雪崩 击穿 O - I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM A I U RRM U RSM - U A 1. 静态特性 UAK * 第1章电力电子器件 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低. 门极电流足够大时，只需很小的正向电压晶闸管开通。--通态 --正常开通 导通后晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 导通后晶闸管电流降到IH（维持电流）以下时 ，晶闸管恢复到正向阻断状态。 + U