电力电子技术课件—第一章 电力电子器件.ppt

第一章 电力电子器件 二 晶闸管及其派生器件 第一章 电力电子器件 1.1 电力电子器件概述 （二）同处理信息的电子器件相比的一般特征 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。 1.1 电力电子器件概述 1.1 电力电子器件概述 （1）按照驱动电路信号的性质来分 电流驱动型——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 电压驱动型——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。 （2）按照功率等级来分 微功率器件 小功率器件 大功率器件 （3）按照导电机理来分 双极型 单极型 混合型 1.1 电力电子器件概述 从使用角度出发，主要可从以下5个方面考查电力电子器件的使用特点： a.导通压降——电力电子器件的管耗与导通压降成正比，应尽量选择低导通压降的器件 b.运行频率——器件的开关时间越短，器件可运行的频率越高 c.器件容量——包括输出功率、电压及电流等级、功率损耗等参数 d.耐冲击能力——主要是指器件短时间内承受过电流的能力 e.可靠性——主要是指器件防止误导通的能力 1.1 电力电子器件概述 图1.2 电力电子器件的种类和发展历史 1.1 电力电子器件概述 基本结构和工作原理与微电子电路中的二极管一样。 由一个面积较大的PN结和两端引线及封装组成。 外形——螺栓型和平板型两种封装。 1.3.1 晶闸管的结构和工作原理 外形——螺栓型和平板型两种封装。 联接端——三个。 螺栓型——螺栓是阳极，与散热器紧密联接且安装方便。 平板型——由两个散热器将其夹在中间。 1.3.1 晶闸管的结构和工作原理 1.3.1 晶闸管的结构和工作原理 2.晶闸管的工作原理 1.3.1 晶闸管的结构和工作原理 1.3.2 晶闸管的特性 2. 动态特性 反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr 电路换向关断时间tq tq=trr+tgr 普通晶闸管的关断时间约几百微秒 通态损耗 断态损耗 开通损耗 关断损耗 1.额定电压UTN 晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许连续流过的单相工频正弦半波电流的最大平均值。 包括快速晶闸管和高频晶闸管，分别应用于400Hz和10kHz以上的斩波或逆变电路中。 开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右。 高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。 由于工作频率较高，不能忽略其开关损耗的发热效应。 1.4.1 电力晶体管(GTR) 1.4.1 电力晶体管(GTR) 4. 动态特性 1.4.1 电力晶体管(GTR) 1.4.1 电力晶体管(GTR) 1.4.1 电力晶体管(GTR) ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 按源漏极存在导电沟道时的栅极电压类型分为耗尽型和增强型。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 电力MOSFET主要是N沟道增强型。 2.静态特性(注意和GTR的区别，特别是饱和区的位置不同) 3. 动态特性 MOSFET的开关速度和输入电容Cin的充放电有很大关系； 使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，所以选择RS很关键（一般为几十欧姆）； MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速； MOSFET开关时间在10～100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是常用电力电子器件中最高的； 场控器件，静态时几乎不需要输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 1. IGBT的结构和工作原理 图1. 22 a) 转移特性 b) 输出特性 开通过程与MOSFET相似 开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 开通时间ton uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。 tfv1——IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程； tfv2——MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。 1.5 其他全控型电力电子器件简介 20世纪80年代中后期开始模块化趋势，将多个器件封装在一个模块中，称为功率模块。 可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。 对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，从而简化对保护和缓冲电路的要求。 将器件与逻辑、控制、保护、传