半导体硅熔体的有效（磁）黏度！.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 4 ’ %##2 ’ ， ， ， WD; -4 (D -’ X=@+ %##2 （ ） $###7%/#R%##2R4 #’ R247#4 S53S TUVOP5S OP(P5S !%##2 5?:@ - T? - ODE - ############################################################### 半导体硅熔体的有效（磁）黏度! ! 张 雯 刘彩池 王海云 徐岳生 石义情 （河北工业大学信息功能材料研究所，天津 ##$# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %## % %## $$ $’ 用钕铁硼（ ）永磁材料构建”魔环”结构的永磁体，向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁场，采用回转振荡 ()*+, 法测量不同磁场强度下硅熔体的有效黏度（磁黏度）在温度一定时，测得的磁黏度随着磁场强度的增加而增加，二 - 者呈抛物线关系 熔硅温度升高，磁场影响加剧 — 温度区间内，磁黏度有异常变化 当引入磁场强度为 - - $./# $’$# 0 - 时，熔硅有效黏度比原黏度增加 — 个数量级，证明引入磁场是硅单晶大直径生长时，抑制熔硅热对流的 # 1#’2 3 % 有效手段- 关键词：硅熔体，有效（磁）黏度，魔环永磁体，回转振荡法 ： ， ， ， !## 2$$#* ’4%# ’’%# ’2$#5 及其性质，主要集中于液态半导体、液体的金属7非 $1 引 言 金属转变和表面熔化等- 随着实验技术的发展和实 ［，］ 验方法的改进，对熔体的研究取得了一些进展 2 - 硅单晶向大直径发展，投料量急剧增加 制备 国内中科院物理所进行了半导体N9OH 和P@OH 熔体 - ［］ !$% 英寸硅单晶，投料约为## JA - 大体积熔硅产生 的物性研究/ - 国外开展这方面的工作较多，实验上 主要是用 射线和中子散射研究熔体的结构，理论 强烈热对流，将严重影响硅单晶质量，甚至破坏单晶 Q 生长- 硅熔体作为晶体生长的环境相，愈来愈受到人 上是对熔体结构进行数值模拟- $//# 年在欧洲召开