实验十二 晶体电光效应与电光调制实验.docVIP

实验十二 晶体电光效应与电光调制实验 一、实验目的 掌握晶体电光调制的原理和实验方法； 测量晶体的半波电压以及电光系数； 利用电光调制实现模拟光通讯。 二、实验原理 1. 晶体的电光效应ffect ）；由二次项bE2 引起折射率变化的效应，称为二次电光效应，也称非线性电光效应或称克尔效应（Kerr Effect ）。线性电光效应只存在于各向异性晶体中。 光在各向异性晶体中传播时，在晶体的一个给定方向上，一般存在着两个可能的线偏振模式，每个模式具有唯一的偏振方向和相应的折射率，而描述这两个相互正交的偏振光在晶体中传播的行为通常用折射率椭球的方法，即 （2） 式中，x，y，z为晶体的介电主轴方向，即晶体在这些方向上的电位移矢量D与电场矢量E是平行的，其对应的折射率为nx，ny和nz。 当晶体上加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球的方程变为 （3） 式中交叉项由电场引起表示变形后椭球主轴和原先的主轴不重合 （3.2） 同时，γijk可约化为18个元素的二阶张量γij，式（3.1）改写为 （3.3） 具体表示为： （4） 或写为矩阵形式： （5） 其中 （6） 即为晶体电光张量的矩阵表示。 2.铌酸锂晶体晶体的电光效应 LiNbO3，LNLN晶体的折射率为n1=n2=no，n3=ne，折射率椭球为以z轴为对称轴的旋转椭球，垂直于z轴的截面为圆，如图2： 其电光系数?为： （7） 没有加电场之前，LN的折射率椭球为 （8） 加上电场之后，由式（7）代入式（5）有 ， ， ， 再将上述各式代入式（3.2），则其折射率椭球为: （9） 在本实验中，采用横向调制方式，即光束沿z轴传播，外加电场沿x轴。并设晶体在z方向的长度为l、宽度为a、厚度为d，如图3所示，即 Ex = E≠0 ，Ey = Ez = 0 这时折射率椭球简化为 （10） 考虑到，可忽略第三项，即 （11） 将xyz坐标系沿z轴旋转450进行坐标变换（主轴变换），得到坐标系，坐标变换关系为 （12） 或 ， ， （13） 代入式（11），有 （14） 上式改写为 （15） 形式。新的主轴和称为施加电场后的感应主轴，对应的感应主折射率为： （16） 上述表明，加了电场作用后，LN晶体变为双轴晶体，其折射率椭球发生了变化，折射率椭球的z轴方向和长度基本不变，而在z＝0平面内，折射率椭球的截面由半径为n0的圆xoy变为长短半轴分别为和椭圆， 椭圆的长短轴方向、相对于原主轴x、y绕z轴旋转了450，转角的大小与外加电场大小无关，而椭圆的长短半轴长度、的大小与外加电场成线性关系。 3. 电光位相延迟和电光补偿器 和两个偏振方向的位相延迟为： （17） 式中U为施加在晶体上的电压，no为无电场下o光的折射率。当晶体和入射光确定后，位相延迟将随外加电压线性变化，这是线性电光效应的重要特点。 当位相差φ等于π时，相应的电压值称为半波电压Uπ。它是电光调制器的重要参数。所以，LN晶体在上述横向调制下的半波电压为： （18） 半波电压的值可通过调整晶体的长度厚度比来改变将18）代入（1）即可得 （19） 已知的半波电压后可直接所加电压控制或读出对应的位相延迟量电光补偿器电光补偿器位相延迟量可用所加电压量表示和控制用电光补偿器易实现位相的自动检测许多物理量如折射率长度温度应力乃至气体密度浓度等变化均会引起位相差发生相应的变化这些物理量微小的变化可用电光补偿器直接测量或控制所以电光补偿器也一种传感器4. 电光强度调制原理 LN晶体放在两偏振片之间，当晶体加上电场后，它就相当于一个厚度为产生（如图所示）。 设该与起偏器P偏振轴成α角，与检偏器A偏振轴成β角。光经起偏器后成为线偏振光（振幅为Ai，光强为Ii）正入射于波片，可将其分解成沿轴和垂直于轴的两个偏振分量： 则Ae，Ao两分量在A （） （22） 当，且P与A正 出射光强为