电力电子器件在工作原理上的差别.docVIP

电力电子器件（GTO、GTR、MOSFET、IGBT、IGCT、MCT）在工作原理上有什么差别？ 分析：电力电子器件（power electronic device）——可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 1. 门极可关断晶闸管（Gate Turn Off Thyristor--GTO）。 晶闸管的一种派生器件，可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断，GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 GTO是由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2分别具有共基极电流增益α1和α2。(1+(2=1是器件临界导通的条件。当(1+(21时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当(1+(21时，不能维持饱和导通而关断。GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。GTO关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，则Ib2减小，使I和Ic2减小，Ic2的减小又使I和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流。当I 和的减小使(1+(21时，器件退出饱和而关断。多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。 2. 电力晶体管（Giant Transistor——GTR） GTR耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的，主要特性是耐压高、电流大、开关特性好，通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。在应用中，GTR一般采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为( ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力，当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic=( ib +Iceo 产品说明书中通常给直流电流增益hFE——在直流工作情况下集电极电流与基极电流之比。一般可认为((hFE 。单管GTR的( 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。 一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿。只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿：一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 3. 电力场效应晶体管主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） MOSFET目前广泛应用，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道电力MOSFET主要是N沟道增强型。 具有显著的特点：用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。 电力MOSFET的结构和电气图形符号 电力MOSFET的工作原理： 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压U 栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面。 当U大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。 MOSFET的开关速度： MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。 使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。 MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速。 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 4. 绝缘栅双极晶体管（Insu