退火温度对bi4ti3o12-bi3tinbo9复合薄膜铁电性能的影响 effect of annealing temperature on the property of bi4ti3o12-bi3tinbo9 ferroelectric thin films.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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退火温度对bi4ti3o12-bi3tinbo9复合薄膜铁电性能的影响 effect of annealing temperature on the property of bi4ti3o12-bi3tinbo9 ferroelectric thin films.pdf

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退火温度对bi4ti3o12-bi3tinbo9复合薄膜铁电性能的影响 effect of annealing temperature on the property of bi4ti3o12-bi3tinbo9 ferroelectric thin films

28 李健等：退火温度对Bi．Ti30。2-Bi3TiNbo。复合薄膜铁电性能的影响电工材料2010 No．2 NbO 退火温度对Bi4Ti3012．Bi3Ti 9复合薄膜铁电性能的影响李健，王华，许积文，任明放，杨玲 (桂林电子科技大学材料科学与工程学院，广西桂林541004) 摘要：研究了退火工艺对溶胶一凝胶法Bi4Tip旷Bi3TiNbo，复合薄膜铁电性能的影响。结果表明，采用溶胶一凝胶工艺制备Bi．Ti，0防Bi，TiNb0，复合薄膜，可将薄膜的剩余极化值P，提高到 2)；薄膜在650℃退火可获得最佳的铁电性能。 19．8}tC／cm2(而Bi4TiDl2薄膜的P，只有15pc／cm 关键词：Bi4TiDt2．Bi3TiNb09(BIT—BNT)；薄膜；铁电性能；退火温度中图分类号：TM22．1；TM205．1文献标志码：A Effectof onthe AnnealingTemperatureProperty ofBi FerroelectricThinFilms 4Ti3：O12-Bi3TiNb09 LIJian，WANGHua，XUJi-wen，REN Ming-fang，YANGLing (眈p口rf，竹enro，，，l，ar，，l口ffDn口Z^缸rerl口f．％le，lcP正浙gfnPeri，lgG“iffn【，，lf’，ersff_)， G“fff，l o，E比cfrDnlc丁0c矗，lD正Dgy，G“口，lgxf 54】D04，C矗f，l口) Abstract：Theeffectof on theferroelectric of annealingtemperature property Bi4Ti30 9 ferroelectricthinf订ms was The 12一Bi3TiNbo by preparedsol-gel inVestigated． resultsshowthaCtheremnant OfBIT-BNTferroelectricthinfilInswas poiarization 2 was 65O℃ increasedto 19．8pC／cmandthebestferroelectric obtainedat property annealingtemperature． words：Bi4Ti3I)12_Bi3TiNb09(BIT·BNT)；thinfihn；ferroelectric tem— Key property；annealing perature l引言值和较大的矫顽场限制了它的应用。近年来的