硬盘基板化学机械粗抛光的实验研究 experimental study of chemical mechanical rough polishing for hard disk substrate.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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硬盘基板化学机械粗抛光的实验研究 experimental study of chemical mechanical rough polishing for hard disk substrate

10.3969/j.issn.1003-353x.2011.12.006 硬盘基板化学机械粗抛光的实验研究刘利宾刘玉岭王胜利林娜娜杨立兵河北工业大学微电子研究所，天津300130 摘要：针对硬盘NiP/Al基板粗抛光，采用SiO2作为抛光磨料的碱性抛光液，在不同压力、转速、pH值、磨料浓度和活性剂体积浓度下，对硬盘基板粗抛光的去除速率和表面粗糙度的变化规律进行研究，用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌。最后对5个关键参数进行了优化。结果表明：当压力为0.10MPa，转速为80rad/min，pH值为11.2，磨料与去离子水体积比为 1∶0.5，表面活性剂体积浓度为9mL/L时，硬盘基板的去除速率为27mg/min，粗抛后表面粗糙度为0.281nm，获得了高的去除速率和较好的表面粗糙度，这样会大大降低精抛的时间，有利于抛光效率的提高。 NiP/Al基板；SiO2磨料；单因素法；化学机械抛光(CMP)；粗糙度；去除速率 TN305.2 A 1003-353X(2011) 12-0923-06 ExperimentalStudyofChemicalMechanicalRoughPolishing forHardDiskSubstrate LiuLibinLiuYulingWangShengliLinNanaYangLibing 基金项目：国家中长期科技发展规划02科技重大专项 (2009ZX02308)；河北省自然科学基金资助项目 (E2010000077) 当压力取应的胺基了下 @@[7] 张朝辉，雒建斌，温诗铸.化学机械抛光中纳米颗 @@[1] HANYF,LIUB, HUANGXY. Highair-bearing 粒的作用分析[J].物理学报，2005，54(5)： 2123-2126. stiffnessliderdesign[J]. JournalofMagnetismand Materials,2006,303(1):76-80. @@[8] 刘金玉，刘玉岭，项霞，等.磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响[J].半导体技术，2010，35(11): @@[2]雷红，邹建斌，方亮.计算机硬盘基片的亚纳米级 1064-1066. 抛光技术研究[J].机械工程学报，2005，41(3)： @@[9] 刘长宇，刘玉岭，武晓玲.用于NiP基片CMP的一种碱 117-121. 性SiO2抛光液[J].微纳电子技术，2007，1:43-46. @@[3] CARPIOR,FARKASJ,JAIRATHR. Initialstudyon 2011-06-13 copperCMPslurrychemistries[J].ThinSolidFilms, 1995,266(2):238-244. @@[4]孙家振，潘国顺，朱永华，等.颗粒等抛光液组分刘利宾(1984-),男，河北保定人，