聚吡咯纳米线制备及其酸碱响应活性.docVIP

聚吡咯纳米线制备及其酸碱响应活性摘　要：通过模板辅助的电化学沉积原位生长方法，制备了导电聚合物聚吡咯纳米线阵列结构。这种纳米线具有均匀的直径与长度，并且可以控制聚吡咯沉积过程中通过氧化铝模板的总电荷数量，来调控聚吡咯纳米线的沉积长度。更为重要的是，在微观纳米尺度上，我们采用独特的顶端接触的上电极构造方法，对单根聚吡咯纳米线的电学性能进行分析表征。结果表明，单根聚吡咯纳米线展示出半导体的特性，并且在酸和碱不同条件处理下，电化学性质发生改变，展现出酸碱响应活性。 关键词：聚吡咯　纳米线　AAO模板 中图分类号：O646　　　　文献标识码：A　　　　　文章编号：1007-3973（2012）006-001-03 1 引言 自1977年Shirakawa, Heeger和Macdiarmid首次发现导电聚乙炔以来，导电聚合物领域的基础和应用研究引起了人们的广泛关注。相比无机半导体材料而言，导电聚合物具有能带可调、高机械柔韧性、稳定性和生物相容性高等优点。导电聚合物本身所具有的特点，可以很好地弥补无机材料的不足，广泛应用于电子和光电子等领域。在导电聚合物中，聚吡咯由于其单体（吡咯）易氧化、可溶于水、商业化生产等独特优势，成为人们研究的热点。 本文通过氧化铝模板辅助电化学沉积原位生长方法，成功制备了导电聚合物（聚吡咯）纳米线。通过扫描电子显微镜与透射电子显微镜观测聚吡咯纳米线形貌及尺寸，这种纳米线具有均匀的直径与长度，并且可以控制聚吡咯沉积过程中通过氧化铝模板的总电荷数量，来调控聚吡咯纳米线的沉积长度。更为重要的是，在微观纳米尺度上，我们采用独特的顶端接触的上电极构造方法，对单根聚吡咯纳米线的电学性能进行分析表征。结果表明，单根聚吡咯纳米线展示出半导体的特性，并且在酸和碱不同条件处理下，电化学性质发生改变，展现出酸碱响应活性。 2 实验部分 2.1 实验材料及实验仪器 高氯酸锂，吡咯，乙腈，氢氧化钠，盐酸，铂丝购于北京化工厂，分析纯。无机氧化铝多孔滤膜(AAO)购于英国 Whatman Ltd. (Anodisc13)，孔径200 nm。 使用场发射扫描电子显微镜（FESEM）HITACHI F-4800观察所制得PPy纳米线形貌及尺寸，加速电压15.0 kV。样品制备过程如下：使用6 M NaOH 溶解AAO模板，2 h 后取出样品，固定样品台上，并且样品表面离子溅射一层铂以防扫描电镜采图时发生放电现象。红外光谱测试使用Bruker TENSOR 27。样品制备过程如下：PPy纳米线与KBr按质量比1:100混合研磨，压片。I/V性能使用Keithley 4200 SCS数控电源在室温和暗室条件测得。我们试验中器件均为上电极构型。器件构筑在Sutter MPC-200探针微操作台上进行。具体方法如下：(1)将制备好聚吡咯纳米线超声均匀分散在水中；(2)用滴管吸取一滴聚吡咯纳米线的胶体溶液滴在SiO2基底上；(3)真空烘箱60℃干燥2 h后，在机械探针的帮助下降两片非常小的金膜分别贴在聚吡咯纳米线的两端构成电极。金膜和基底靠范德华力相互作用紧紧压在纳米线上。 2.2 聚吡咯纳米线的制备 聚吡咯(PPy)纳米线的制备步骤如图1所示。首先在三电极体系中，以铂为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，镀有导电层的氧化铝模板为工作电极的三电极体系中，采用阳极氧化的方法制备。具体方法：将镀有铂的AAO模板作为工作电极，以0.5 M 吡咯和0.1 M 高氯酸锂的乙腈溶液为电解液，在0.85 V的恒电位的条件下聚合3 h。聚吡咯被填充到AAO模板中，形成聚吡咯纳米线。 3 结果与讨论 图 2为AAO模板的扫描电镜图片。模板孔径大小均匀，孔径大约200 nm。模板截面的看出模板厚度可达60 ?%em表明，放大图片显示模板孔洞畅通，并且孔洞垂直于模板表面平行排列。 以AAO为模板，通过电化学沉积的方法，得到了聚吡咯纳米线。图3显示的是聚吡咯米线的扫描电子显微镜图像。 图3a和b分别显示溶解AAO模板后的聚吡咯纳米线阵列的横截面图和顶端俯视图。从图中可以看出，纳米线排列致密，均一，有序。图3c显示单根聚吡咯纳米线扫描电镜图像。从图中可以看出，聚吡咯纳米线沿长度方向具有均一的直径，长度在10 ?%em左右，直径在200-300 nm，这与AAO模板的孔径相一致。为了证实纳米线元素组成，我们对其进行了EDS能谱分析，图3d展示了单根聚吡咯纳米线EDS能谱分析的结果。在EDS能谱中，主要归属于碳元素和氮元素的特征峰，少量铂元素为在EDS测试前，防止采集图像发生放电现象，离子溅射在样品上少量铂金属。扫描电镜以及EDS能谱的结果说明：基于AAO模板的电化学沉积的方法，我们可以得到聚吡咯纳米线，并且纳米线排列规整，直径均一