《微电子学概论》02 半导体物理和器件物理基础.ppt

MOSFET的直流特性 MOSFET的分类 增强型nMOS 耗尽型nMOS 增强型pMOS 耗尽型pMOS MOSFET的分类 增强型nMOS 耗尽型nMOS 增强型pMOS 耗尽型pMOS MOS电容 反型电荷Qi 耗尽区体电荷QB 栅极电荷QG CGB，CGD，CGS PN结电荷 重点 半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴 掺杂、施主、受主、N型半导体、P型半导体 多子、少子 产生、复合、扩散、漂移 载流子浓度的热平衡条件与电中性条件 PN结的形成及工作原理，二极管的特性参数 双极晶体管的工作原理、直流特性与特性参数 MOSFET的结构、工作原理、分类、转移特性曲线 MOS电容 作业题2 1.载流子的输运有哪些模式，这些输运模式分别在什么情况下形成？ 2.简要描述PN结的形成过程。 3.写出半导体中载流子浓度的热平衡条件与电中性条件。 4.用图形描述NPN双极晶体管正常工作时载流子的输运和浓度分布情况。 5.画出nMOSFET的结构示意图，并在图中标出其主要组成部分的名称。 6.画出4种MOS管的转移特性曲线 8. 二极管的特性参数 正向压降 VF 正向电流 IF 击穿电压 VBR 反向（漏）电流 IR 结电容 CD 反向恢复时间 trr 二极管特性参数的应用 正向电压 VF 正向电流 IF 击穿电压 VBR A B C 1.0 0.72 0.8 5 1 3 30 40 80 现要设计一个全桥整流电路，整流桥输入电压24VAC，负载最大功率40W，应选择上面的那种型号的二极管？并说明理由。 双极晶体管 双极晶体管的结构 由两个相距很近的PN结组成： 分为：NPN和PNP两种形式 基区宽度远远小于少子扩散长度 发射区 收集区 基区 发射结 收集结 发射极 收集极 基极 双极晶体管的两种形式：NPN和PNP 双极晶体管的两种形式：NPN和PNP NPN c b e c b e PNP NPN晶体管工作时的偏置情况 NPN晶体管的电流输运机制 正常工作时的载流子输运 相应的载流子分布 NPN晶体管的电流输运 NPN晶体管的电流转换 电子流 空穴流 NPN晶体管的几种组态 共基极 共发射极 共收集极 共基极 共发射极 共收集极 N N P 晶体管的共收集极接法 c b e 晶体管的直流特性 1.共发射极的直流特性曲线 晶体管的直流特性 1.共发射极的直流特性曲线 三个区域： 饱和区 放大区 截止区 2.共基极的直流特性曲线 晶体管的直流特性 2.共基极的直流特性曲线 晶体管的直流特性 晶体管的特性参数 1.晶体管的电流增益（放大系数） 共基极直流放大系数和交流放大系数?0 、 ? 两者的关系 共发射极直流放大系数交流放大系数?0、 ? 2.晶体管的反向漏电流 Icbo：发射极开路时， 收集结的反向漏电流 晶体管的特性参数 2.晶体管的反向漏电流 Iebo：收集极开路时， 发射结的反向漏电流 晶体管的特性参数 2.晶体管的反向漏电流 Iceo ：基极极开路时， 收集极－发射极的 反向漏电流 晶体管的特性参数 3.晶体管的击穿电压 BVcbo 晶体管的特性参数 3.晶体管的击穿电压 Bvceo 晶体管的特性参数 3.晶体管的击穿电压 BVebo 晶体管的特性参数 4.晶体管的频率特性 ?截止频率 f?：共基极电流放 大系数减小到低频值的 所对应的频率值 ?截止频率f ? ： 特征频率fT：共发射极电流放大系数为1时对应的工作频率 最高振荡频率fM：功率增益为1时对应的频率 晶体管的特性参数 BJT晶体管的特点 垂直结构 与输运时间相关的尺寸由工艺参数决定，与光刻尺寸关系不大 易于获得高fT 高速应用 整个发射结上有电流流过 可获得单位面积的大输出电流 易于获得大电流 大功率应用 开态电压VBE与尺寸、工艺无关 片间涨落小，可获得小的电压摆幅 易于小信号应用 模拟电路 优点： 输入电容由扩散电容决定 随工作电流的减小而减小 可同时在大或小的电流下工作而无需调整输入电容 输入电压直接控制提供输出电流的载流子密度 高跨导 优点： 缺点： 存在直流输入电流，基极电流 功耗大 饱和区中存储电荷上升 开关速度慢 开态电压无法成为设计参数 设计BJT的关键： 获得尽可能大的IC和尽可能小的IB MOS场效应晶体管 MOS晶体管的结构 衬底B 源极S 漏极D 栅氧化层 栅极G 沟道长度L 沟道宽度W “金属-氧化物-半导体场效应晶体管” MOS管的MIS结构 “金属-绝缘层-半导体（MIS）结构” 反型层的形成 表面空间电荷区 反型层 阈值电压 N沟道 弱反型 强反型 P沟道 MOSFET的偏置 截止 导通 开启电压 MOSFET的电流-电压关系 线性区 饱和区 击穿区 亚阈区