氧化对soi基sige薄膜残余应变弛豫的影响 influence of oxidation on residual strain relaxation of sige film grown on soi substrate.pdfVIP

第27卷第1期 半导体学报 Vol27 No1 2006年1月 CHINESEJoURNALoFSEMICoNDUCToRS Jan．．2006 金 波t 王 曦 陈 静 张 峰 程新利 陈志君 (中国科学院上海镄系统与信息技术研究所，上海200050) 摘要：研究了氧化对外延在soI衬底上的siGe薄膜的残余应变弛豫过程的影响通过对siGe薄膜采用不同工艺 薄膜和soI顶层硅中位错分布的分析发现：在氧化过程中，siGe薄膜和soI衬底之间存在一个应力传递的过程 关键词：氧化；siGe；SoI；应变弛豫 PACC：7280；6855；6865 中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：0253_4177(2006)01—0086一05 引言 中，所以顶层硅中将会有大量的位错出现．而顶层硅 将会由于这种应力的分布和传递过程而产生一定的 近年来，siGe材料在微电子领域得到了广泛的应力o]．很多研究报道都已经证实了他的工作““]． 应用．在soI衬底上外延生长siGe薄膜受到了关Rehder从他的实验出发，提出了另外的一个观 点来解释这个siGe薄膜应力释放的过程，他发现： 注．siGe／soI结构具有很多非常优异的物理和电学 性能， 在siGe薄膜应力释放的早期过程中，并没有观测到 与常规的外延生长在体硅材料上面的siGe薄顶层硅产生的部分应力，而只有在位错大量出现和 聚集在顶层硅中以后，才能够观测到顶层硅的应 膜相比较，在soI材料上面外延生长的siGe薄膜 具有以下优点：能够得到高度弛豫且具有较低位错 力[3]，他认为：siGe薄膜的应力释放过程是通过位 密度的siGe薄膜，适宜用来外延高质量的应力硅材错在siGe薄膜和顶层硅中形核、滑移来进行的．而 料叭21i可以获得太大超过临界厚度，且处于应变状 氧化埋层的存在将会改变位错的结构及其运动的方 式，即位错滑移的过程释放了siGe薄膜中应力． 态的siGe薄膜“]，在siGe能带工程方面有较大的 应用前景． 外延在超薄soI衬底上的siGe薄膜有一个很 有趣的现象：sloe薄膜将会高度弛豫而又不会产生on 通常情况下应变弛豫所引入的大量位错．很多科研 原子的选择性氧化将会促使siGe薄膜中的锗原子 工作者报道了他们在siGe／sOI结构的应变弛豫过 程方面的研究，并且发表了一定的结果和可能的解 从siGe层中扩散到顶层硅中．而Ge原子的扩散将 释机理‘“…．与体硅材料相比，soI材料的最大不同 oxide完成之后，形成的新sGoI材料是高度弛豫的．高 就是在sOI材料中存在着一层绝缘层(buried Ge含量并且位错密度较低，比较适合进一步外延生 laver，Box)．而这层Box将对siGe薄膜的弛豫 过程产生极大的影响． 长应变硅材料．在氧化过程中，siGe薄膜中的残余 Poweu首先报道了他的实验结果：在超薄的应变的弛豫过程是影响后续的sGOI薄膜质量的重 要因素之一．并且，Ge原子的扩散将对整个siGe薄 soI衬底上外延生长获得的siGe薄膜是高度弛豫、 位错密度较低的器件级薄膜．他认为：在高温退火的 膜的残余应变的弛豫产生极大影响，另外Ge原子 情况下(700℃)，二氧化硅和顶层硅之间的界面将